[发明专利]FET控制装置和方法在审

专利信息
申请号: 202080032429.2 申请日: 2020-11-26
公开(公告)号: CN113767571A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 安洋洙;李相镇 申请(专利权)人: 株式会社LG新能源
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;H02J7/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 穆森;戚传江
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: fet 控制 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种用于控制包括漏极端子、栅极端子和源极端子的FET的操作状态的FET控制装置,所述FET控制装置包括:

电容器,所述电容器被配置成通过放电线在所述栅极端子与所述源极端子之间与所述FET并联连接;

电压源,所述电压源被配置成通过充电线电连接到所述电容器并且被配置成在所述充电线被电连接时对所述电容器充电;

测量单元,所述测量单元被配置成测量所述源极端子的电压和所述电容器的电压;以及

控制单元,所述控制单元被配置成从所述测量单元接收所述源极端子的电压和所述电容器的电压,基于所述源极端子的电压设定目标电压,通过电连接所述充电线由所述电压源对所述电容器充电直到所述电容器的电压变得等于或高于所述目标电压为止,并且在所述电容器被完全充电之后通过电连接所述放电线来控制所述FET的操作状态。

2.根据权利要求1所述的FET控制装置,

其中,所述控制单元被配置成通过将预设阈值电压和所述源极端子的电压相加来设定所述目标电压,以及

其中,所述阈值电压被预先设定为所述栅极端子与所述源极端子之间的电压差,所述电压差将所述FET的操作状态转换为接通状态。

3.根据权利要求1所述的FET控制装置,

其中,所述放电线被配置成包括:

第一单元线,所述第一单元线具有被配置成连接所述栅极端子和所述电容器的一端的第一开关;以及

第二单元线,所述第二单元线具有被配置成连接所述源极端子和所述电容器的另一端的第二开关。

4.根据权利要求3所述的FET控制装置,

其中,所述充电线包括:

第三单元线,所述第三单元线具有被配置成连接所述电容器的一端和所述电压源的正极端子的第三开关;以及

第四单元线,所述第四单元线具有被配置成连接所述电容器的另一端和所述电压源的负极端子的第四开关,

其中,所述电容器的一端被配置成连接在所述第一开关与所述第三开关之间,并且

其中,所述电容器的另一端被配置成连接在所述第二开关与所述第四开关之间。

5.根据权利要求4所述的FET控制装置,

其中,所述控制单元被配置成同时地控制所述第一开关和所述第二开关的操作状态并且同时地控制所述第三开关和所述第四开关的操作状态。

6.根据权利要求1所述的FET控制装置,

其中,所述控制单元被配置成在所述电容器被完全充电之后,每预定控制周期电连接所述充电线和所述放电线中的任何一个并且电断连所述充电线和所述放电线中的另一个。

7.根据权利要求6所述的FET控制装置,

其中,所述预定控制周期是被设定成将所述电容器的电压维持为等于或高于所述目标电压的周期。

8.根据权利要求6所述的FET控制装置,

其中,当所述源极端子的电压发生改变时,所述控制单元被配置成将所述目标电压重设以对应于源极端子的所改变的电压并且基于所重设的目标电压改变所述预定控制周期。

9.根据权利要求1所述的FET控制装置,

其中,所述测量单元被配置成进一步测量所述漏极端子的电压,并且

其中,所述控制单元被配置成从所述测量单元接收所述漏极端子的电压并且通过基于所述FET的操作状态比较所述漏极端子的电压和所述源极端子的电压来诊断所述FET是否具有故障。

10.一种包括根据权利要求1至9中的任一项所述的FET控制装置的电池组。

11.一种用于控制包括漏极端子、栅极端子和源极端子的FET的操作状态的FET控制方法,所述FET控制方法包括:

测量所述源极端子的电压和与所述FET并联连接的电容器的电压的电压测量步骤;

基于在所述电压测量步骤中测量的所述源极端子的电压来设定目标电压的目标电压设定步骤;

对所述电容器充电使得所述电容器的电压变得等于或高于所述目标电压的电容器充电步骤;以及

通过使用在所述电容器充电步骤中被完全充电的所述电容器来控制所述FET的操作状态的FET操作状态控制步骤。

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