[发明专利]低功率存储器

权利要求书

1.一种存储器，包括：

位线；

位单元，被配置为响应于所述位单元中存储的位而在字线断言时段期间将所述位线充电到位单元影响电压；

感测放大器；

第一感测节点，用于所述感测放大器；

第一电荷转移晶体管，具有连接到所述位线的源极和连接到所述第一感测节点的漏极；以及

电荷转移驱动器，被配置为在电荷转移时段期间将所述第一电荷转移晶体管的栅极充电到栅极电压，以响应于所述存储的位等于第一二进制值而使得所述第一电荷转移晶体管导通，并且响应于所述存储的位等于所述第一二进制值的补码而使得所述第一电荷转移晶体管保持关断。

2.根据权利要求1所述的存储器，还包括：

预充电电路，被配置为在预充电时段期间将所述位线充电到电源电压，并且其中所述第一电荷转移晶体管是p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。

3.根据权利要求2所述的存储器，还包括被配置为在所述预充电时段期间将所述第一感测节点放电到地的晶体管。

4.根据权利要求1所述的存储器，还包括：

预充电电路，被配置为在预充电时段期间将所述位线放电到地，并且其中所述第一电荷转移晶体管是n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。

5.根据权利要求4所述的存储器，还包括被配置为在所述预充电时段期间将所述第一感测节点充电到电源电压的晶体管。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电荷转移驱动器包括虚设位线。

7.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电荷转移驱动器包括反相器。

8.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电荷转移驱动器包括二极管接法晶体管，所述二极管接法晶体管具有与所述第一电荷转移晶体管的栅极连接的栅极。

9.根据权利要求1所述的存储器，其中所述感测放大器包括反相器，所述反相器被配置为将所述第一感测节点的电压反相以感测所述存储的位的二进制值。

10.根据权利要求1所述的存储器，还包括：

互补位线；

第二电荷转移晶体管，具有连接到所述互补位线的源极和连接到用于所述感测放大器的第二感测节点的漏极，其中所述电荷转移驱动器还被配置为驱动所述第二电荷转移晶体管的栅极电压。

11.根据权利要求10所述的存储器，其中所述感测放大器包括复位置位锁存器。

12.根据权利要求11所述的存储器，其中所述复位置位锁存器包括成对的交叉耦合的NAND门。

13.根据权利要求1所述的存储器，其中所述存储器被合并到蜂窝电话中。

14.一种用于使用电荷转移晶体管感测由位单元存储的位的方法，包括：

将位线预充电到等于预充电电压，同时具有连接到所述位线的源极和连接到感测节点的漏极的电荷转移晶体管关断，以将所述感测节点与所述位线隔离；

在所述位线的所述预充电之后，将所述位单元耦合到所述位线，同时所述电荷转移晶体管保持关断，以将所述位线充电到位单元影响电压，所述位单元影响电压响应于所述位等于第一二进制值而等于所述预充电电压，并且所述位单元影响电压响应于所述位等于第二二进制值而与所述预充电电压相差位线差异电压；

在电荷转移时段期间将所述电荷转移晶体管的栅极充电到栅极电压，其中所述栅极电压与所述位单元影响电压之间的差异使得所述电荷转移晶体管响应于所述位等于所述第一二进制值而导通，并且其中所述栅极电压与所述位单元影响电压之间的所述差异使得所述电荷转移晶体管响应于所述位等于所述第二二进制值而保持关断；以及

在所述电荷转移时段终止之后，响应于将所述感测节点的电压反相而感测所述位。