[发明专利]阳极化涂覆表面的宏观纹理化

权利要求书

1.一种用于等离子体处理室的易耗部件，其包含：

所述易耗部件的面向等离子体侧；

工程化表面，其被形成于所述易耗部件的所述面向等离子体侧中；以及

多个凸起特征，其限定所述工程化表面，其中所述多个凸起特征中的特征按预定图案设置，其中所述多个凸起特征中的每一者包含顶部区域，所述顶部区域具有外缘和侧壁；

所述工程化表面的基底表面，其围绕所述多个凸起特征的每一者，使得相应凸起特征的相应侧壁从所述基底表面呈一定角度向上延伸至相应顶部区域，

其中所述易耗部件被配置成安装于所述等离子体处理室中，

其中所述易耗部件被配置成暴露于等离子体以及所述等离子体的副产物。

2.根据权利要求1所述的易耗部件，其中所述角度的范围介于约15度至约60度之间。

3.根据权利要求1所述的易耗部件，其中所述多个凸起特征中的特征为宏观的，其中相应凸起特征相对于所述基底表面的高度的范围介于约0.2mm至约3mm之间。

4.根据权利要求1所述的易耗部件，其还包含：

阳极化层，其形成于所述工程化表面上方；以及

热喷涂层，其形成于所述阳极化层上方，

其中所述多个凸起特征被配置成增强所述热喷涂层对所述阳极化层的粘附性。

5.根据权利要求1所述的易耗部件，其中所述易耗部件包含下述项中的一项：

衬垫，其被配置成保护所述等离子体处理室的内壁；或

C形罩的一或更多个部分；或

等离子体约束环的一或更多个部分；或

聚焦环；或

边缘环；或

静电半导体晶片保持/夹持系统；或

上电极；或

用于感应耦合式等离子体的介电窗；或

底电极。

6.根据权利要求1所述的易耗部件，其还包含：

多个微观特征，其被无区别地施加到所述多个凸起特征上。

7.根据权利要求1所述的易耗部件，

其中所述预定图案包含第一区段和第二区段，

其中所述第一区段包含设置于第一子图案中的第一组凸起特征，

其中所述第二区段包含设置于第二子图案中的第二组凸起特征。

8.根据权利要求1所述的易耗部件，其中所述易耗部件的所述面向等离子体侧为导电材料或介电材料。

9.一种用于构建易耗部件的工程化表面的方法，所述易耗部件被配置成安装于等离子体处理室中，所述方法包含：

使用模板以遮蔽所述易耗部件的面向等离子体侧，其中所述模板包含开口的图案，其提供通往所述面向等离子体侧的途径；

利用喷击介质穿过所述模板而有区别地对所述面向等离子体侧进行喷击，以产生限定所述工程化表面的多个凸起特征，所述工程化表面被形成于所述面向等离子体侧中，

其中所述多个凸起特征的特征按预定图案而设置于所述工程化表面上方，

其中所述多个凸起特征中的每一者包含顶部区域，所述顶部区域具有外缘和侧壁，

其中所述工程化表面的基底表面围绕所述多个凸起特征的每一者，使得相应凸起特征的相应侧壁从所述基底表面呈一定角度向上延伸至相应顶部区域，

其中所述易耗部件被配置成暴露于等离子体以及所述等离子体的副产物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述角度的范围介于约15度至约60度之间。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个凸起特征中的特征为宏观的，其中相应凸起特征相对于所述基底表面的高度的范围介于约0.2mm至约3mm之间。