[发明专利]用于读取包含两端子开关材料的交叉点型存储阵列的方法

权利要求书

1.一种用于读取包含两端子开关材料的存储阵列的方法，该方法包括以下步骤：

(a)通过向存储阵列施加电压来选择至少一个单元；以及

(b)同时测量来自所选择的所述至少一个单元的电流之和，

其中，施加到在操作(a)中选择的所述至少一个单元的电压高于施加到未选择的至少一个单元的电压，同时处于使所选择的所述至少一个单元全都未导通的范围内。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，因施加到所选择的所述至少一个单元的电压而流动的最小电流处于比因施加到未选择的至少一个单元的电压而流动的电流之和高的范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述两端子开关材料是双向阈值开关材料、过渡金属氧化物开关材料、MIEC开关材料、互补电阻开关材料和掺杂非晶硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述两端子开关材料具有20nA或更大且5μA或更小的阈值电流。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中，控制通过字线和/或位线施加到所述存储阵列的电压，使得到达在所述存储阵列中选择的一个或更多个单元的电流的个体单元电压中的、根据从电源到所选择的单元的电流流动距离而出现的电压降得以补偿，并且

所述电流流动距离由施加到所述存储阵列的电流从所述电源到达所述所选择的单元之前所述电流所经过的单元的数目以及字线和位线的长度来确定。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中，通过控制施加到连接到所述所选择的单元的位线和字线中的一者或二者的电压来实现电压降补偿。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中，通过位线和/或字线施加到所述存储阵列的电压是随时间变化的脉冲电压。