[发明专利]用于光学装置的多深度膜在审

专利信息
申请号: 202080026802.3 申请日: 2020-04-08
公开(公告)号: CN113646668A 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: 卡尔·J·阿姆斯特朗;卢多维克·戈代;布莱恩·亚历山大·科恩;韦恩·麦克米兰;詹姆斯·D·斯特拉斯纳;本杰明·里奥登 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: G02B1/12 分类号: G02B1/12;G02B5/02
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 光学 装置 深度
【权利要求书】:

1.一种方法,包括以下步骤:

在基板的表面上设置装置材料的基底层,所述基底层具有基底层深度;和

在所述基底层上设置所述装置材料的一个或多个心轴,其中设置所述一个或多个心轴的步骤包括:

在所述基底层上方定位掩模,所述掩模具有:

槽的图案的第一部分,具有第一掩模深度,所述第一掩模深度对应于具有第一心轴深度的心轴;和

槽的所述图案的第二部分,具有第二掩模深度,所述第二掩模深度对应于具有第二心轴深度的心轴;和

在所述掩模位于所述基底层上方的情况下沉积所述装置材料以形成光学装置,所述光学装置具有具所述基底层深度的所述基底层及具有所述第一心轴深度与所述第二心轴深度的所述一个或多个心轴。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述装置材料通过PVD、CVD或ALD沉积。

3.如权利要求1所述的方法,其中所述心轴包括含二氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2)、铝掺杂的氧化锌(AZO)、氟掺杂的氧化锡(FTO)、锡酸镉(氧化锡)(CTO),及锡酸锌(氧化锡)(SnZnO3)、氮化硅(Si3N4),及非晶硅(a-Si)的材料。

4.如权利要求1所述的方法,其中所述第一心轴深度大于所述第二心轴深度,或者所述第一掩模深度大于所述第二掩模深度。

5.一种处理系统,包括:

工厂接口;

第一致动器,设置在所述工厂接口内;

第二致动器,设置在所述工厂接口内;

对准器站,设置在所述工厂接口内;和

翻转装置,与所述工厂接口耦接。

6.如权利要求5所述的处理系统,其中所述工厂接口包括四个装载端口站。

7.如权利要求5所述的处理系统,其中所述翻转装置在所述四个装载端口站中的第一装载端口站处耦接至所述工厂接口,或者所述对准器设置在所述第一致动器与所述第二致动器之间。

8.如权利要求5所述的处理系统,其中所述对准器站包括真空吸盘。

9.如权利要求5所述的处理系统,其中所述真空吸盘包括用于吸附基板的内部区域及用于单独吸附掩模的外部区域。

10.如权利要求5所述的处理系统,其中所述对准器站包括对准器。

11.一种组装载具组件的方法,包括以下步骤:

将载具插入对准站中,所述载具上具有掩模;

对准所述载具与掩模;

将所述掩模与所述载具分离;

从所述对准站移除所述载具;

将基板插入所述对准站中;

使所述基板与所述掩模接触;和

使所述载具与所述基板及掩模接触以产生载具组件。

12.如权利要求11所述的方法,其中将所述掩模与所述载具分离的步骤包括移动所述掩模至真空吸盘,并且使所述掩模吸附至所述真空吸盘。

13.如权利要求11所述的方法,其中使所述基板与所述掩模接触的步骤包括移动所述基板至真空吸盘,并且使所述基板吸附至所述真空吸盘。

14.如权利要求11所述的方法,其中使所述载具与所述基板及所述掩模接触的步骤包括从真空吸盘解除吸附所述基板和所述掩模。

15.如权利要求11所述的方法,进一步包括以下步骤:在使所述基板与所述掩模接触之后将所述载具插入至所述对准站中,或者所述掩模及所述基板的至少一部分放置在所述载具内。

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