[发明专利]溅射靶及溅射靶的制造方法

说明书

一种溅射靶，其中，含有10at％～20at％的B，剩余部分中包含Fe，利用SEM图像观察的Fe－B相的平均面积为20μm²以下。

技术领域

本说明书公开了一种涉及溅射靶及溅射靶的制造方法的技术。

背景技术

在不供给电源而保持存储的非易失性存储器中，有利用磁隧道接(magnetictunnel junction)的磁化状态来进行存储的磁阻存储器(MRAM)。

磁阻存储器中，有时会将添加有硼的材料用于作为其构成要素的穿隧磁阻元件的垂直磁化膜。所述垂直磁化膜可以通过使用含有硼、铁以及钴中的至少一种的溅射靶的溅射法来形成。

作为用于这样的磁阻存储器或其他用途、含有硼的溅射靶，例如，存在专利文献1～4所记载的溅射靶。

专利文献1和2中记载了：“一种磁性材料溅射靶，其特征在于，所述磁性材料溅射靶由B的含量为26at％以上且40at％以下，剩余部分选自Co或Fe中的一种以上的元素的烧结体构成，靶中有B的高浓度相和B的低浓度相，在所述B的高浓度相中描绘的最大内切圆的直径为15μm以上的B的高浓度相为一个以下”。此外专利文献1和2中记载了：“一种磁性材料溅射靶的制造方法，其特征在于，通过气体雾化法制作B的含量为26at％以上且40at％以下，剩余部分选自Co或Fe中的一种以上的元素的磁性材料靶原料粉末，对该气体雾化原料粉末进行烧结而制成靶，使所述靶为存在B的高浓度相和B的低浓度相的组织，使在所述B的高浓度相中描绘的最大内切圆的直径为15μm以上的B的高浓度相为1个以下”。

专利文献3和4中记载了：“一种CoFeB系合金溅射靶材，其是由按at.％计含有10％～50％的B、剩余部分为Co和Fe中的至少一种、不可避免的杂质构成的溅射靶材，(CoFe)₂B(200)的X射线衍射强度[I〔(CoFe)₂B〕]与(CoFe)₃B(121)的X射线衍射强度[I〔(CoFe)₃B〕]的强度比[I〔(CoFe)₃B〕/I〔(CoFe)₂B〕]为1.50以下”。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6037415号公报

专利文献2：美国专利申请公开第2016/0237552号说明书

专利文献3：日本特开2017－57477号公报

专利文献4：美国专利申请公开第2018/0245211号说明书

发明内容

发明所要解决的问题

在如上所述的含有硼的溅射靶中，特别是，在以规定的量含有硼并且还含有铁的溅射靶中，存在如下问题：溅射时会产生大量颗粒(particle)，这会导致制品成品率的降低。

在本说明书中，公开了一种能有效地减少颗粒的溅射靶以及溅射靶的制造方法。

用于解决问题的方案

本说明书所公开的溅射靶含有10at％～20at％的B，剩余部分包含Fe，利用SEM图像观察的Fe－B相的平均面积为20μm²以下。

本说明书所公开的溅射靶的制造方法包括烧结工序：一边对包含10at％～20at％的B且包含Fe的原料粉末进行加压，一边在800℃以上且低于900℃的温度下保持1小时～3小时。

发明效果

根据上述溅射靶，能有效地减少溅射时的颗粒。

附图说明

图1是比较例1的溅射靶的SEM图像。