[发明专利]溅射靶及溅射靶的制造方法在审
| 申请号： | 202080022678.3 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN113614281A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 曽川慎治;荒川笃俊 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 制造 方法 | ||
1.一种溅射靶，其中，
含有10at％～20at％的B，剩余部分包含Fe，利用SEM图像观察的Fe－B相的平均面积为20μm2以下。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，
Fe－B相的所述平均面积为15μm2以下。
3.根据权利要求2所述的溅射靶，其中，
Fe－B相的所述平均面积为10μm2以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其中，
使用溅射装置，以600W的输出使用直到60kWh的情况下，该使用后的溅射面的表面粗糙度Ra为2.0μm以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的溅射靶，其中，
密度比大于99％。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的溅射靶，其中，
纯度为3N以上。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的溅射靶，其中，
进一步含有Co，Co的含量为5at％～80at％。
8.一种溅射靶的制造方法，其包括：
烧结工序，一边对包含10at％～20at％的B且包含Fe的原料粉末进行加压，一边在800℃以上且低于900℃的温度下保持1小时～3小时。
9.根据权利要求8所述的溅射靶的制造方法，其中，
在烧结工序中，将所述温度设为850℃以上且低于900℃。
10.根据权利要求8或9所述的溅射靶的制造方法，其中，
在烧结工序中，将到达所述温度为止的升温速度设为5℃/分钟以上，将到达所述温度之后的降温速度设为1℃/分钟以上。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的溅射靶的制造方法，其中，
所述原料粉末进一步包含5at％～80at％的Co。
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