[发明专利]用于在半导体器件制造过程中选择性去除氮化硅的蚀刻溶液和方法

权利要求书

1.一种适用于从微电子器件相对于氧化硅选择性地去除氮化硅的蚀刻溶液，其包含：

水;

磷酸水性溶液；

具有由式A表示的化学结构的有机硅化合物：

(R⁴O)_3-mSiR²R³_m

A

其中R²和R³各自独立地选自氢原子、C₁至C₁₀直链烷基、C₃至C₁₀支链烷基、C₃至C₁₀环状烷基、C₅至C₁₂芳基、C₂至C₁₀直链或支链烯基、C₂至C₁₀直链或支链炔基以及含官能团的部分，其中所述官能团是选自乙烯基、环氧基、苯乙烯基、甲酰氧基、酰氧基、氨基、脲基、异氰酸酯、异氰脲酸酯和巯基的至少一种，R⁴选自C₁至C₁₀直链烷基、C₃至C₁₀支链烷基、C₃至C₁₀环状烷基、C₃至C₁₀直链或支链烯基、和C₃至C₁₀直链或支链炔基、C₅-C₁₂芳基，和其中m=0、1或2；以及

含羟基的水混溶性溶剂。

2.根据权利要求1所述的蚀刻溶液，其中所述含羟基的水混溶性溶剂选自烷烃二醇或多元醇、二醇、烷氧基醇、饱和脂肪族一元醇、不饱和非芳香族一元醇和含有环结构的醇。

3.根据权利要求2所述的蚀刻溶液，其中所述含羟基的水混溶性溶剂为所述烷烃二醇或多元醇，并且选自2-甲基-1,3-丙二醇、1,3-丙二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、1,2-丁二醇、2,3-丁二醇和频哪醇。

4.根据权利要求2所述的蚀刻溶液，其中所述含羟基的水混溶性溶剂为所述二醇，并且选自乙二醇、丙二醇、二甘醇、二丙二醇、三甘醇和四甘醇。

5.根据权利要求2所述的蚀刻溶液，其中所述含羟基的水混溶性溶剂为所述烷氧基醇，并且选自3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、3-甲氧基-1-丁醇、1-甲氧基-2-丁醇和二醇单醚。

6.根据权利要求2所述的蚀刻溶液，其中所述含羟基的水混溶性溶剂为所述饱和脂肪族一元醇，并且选自甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、1-丁醇、2-丁醇、异丁醇、叔丁醇、2-戊醇、叔戊醇和1-己醇。

7.根据权利要求2所述的蚀刻溶液，其中所述含羟基的水混溶性溶剂为所述不饱和非芳香族一元醇，并且选自烯丙醇、丙炔醇、2-丁烯醇、3-丁烯醇和4-戊烯-2-醇。

8.根据权利要求5所述的蚀刻溶液，其中所述含羟基的水混溶性溶剂为所述二醇单醚，并且选自乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单正丙醚、乙二醇单异丙醚、乙二醇单正丁醚、二甘醇单甲醚、二甘醇单乙醚、二甘醇单丁醚、三甘醇单甲醚、三甘醇单乙醚、三甘醇单丁醚、1-甲氧基-2-丙醇、2-甲氧基-1-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、2-乙氧基-1-丙醇、丙二醇单正丙醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二丙二醇单正丙醚、三丙二醇单乙醚、三丙二醇单甲醚和乙二醇单苄基醚和二甘醇单苄基醚。

9.根据权利要求2所述的蚀刻溶液，其中所述含羟基的水混溶性溶剂为所述含有环结构的醇，并且选自α-萜品醇、四氢糠醇、糠醇和1,3-环戊二醇。

10.根据权利要求1所述的蚀刻溶液，其中所述含羟基的水混溶性溶剂为二丙二醇单乙醚(DPGME)。