[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，所述发光元件包括：

层压结构体，所述层压结构体中层压有第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层，所述第一化合物半导体层包括第一表面和面对所述第一表面的第二表面，所述活性层面对所述第一化合物半导体层的第二表面，所述第二化合物半导体层包括面对所述活性层的第一表面和面对所述第二化合物半导体层的所述第一表面的第二表面；

第一电极，电连接到所述第一化合物半导体层；以及

第二电极和第二光反射层，形成在所述第二化合物半导体层的第二表面上，其中，

突出部，形成在所述第一化合物半导体层的第一表面侧，

平滑层，至少形成在所述突出部上，所述突出部和所述平滑层构成凹面镜部分，

第一光反射层，形成在所述平滑层的至少部分上，并且

所述第二光反射层具有平坦形状。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，在所述平滑层与所述第一光反射层之间的界面处的所述平滑层的表面粗糙度Ra₁的值小于在所述突出部与所述平滑层之间的界面处的所述突出部的表面粗糙度Ra₂的值。

3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述表面粗糙度Ra₁的值小于或等于1.0nm。

4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述突出部的顶部处的所述平滑层的平均厚度比所述突出部的边缘处的所述平滑层的平均厚度薄。

5.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述平滑层的曲率半径为1×10^-5m至1×10^-3m。

6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，构成所述平滑层的材料是从由电介质材料、基于旋涂玻璃的材料、低熔点玻璃材料、半导体材料和树脂组成的组中选择的至少一种材料。

7.一种发光元件的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：

形成层压结构体，在所述层压结构体中层压有第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层，所述第一化合物半导体层包括第一表面和面对所述第一表面的第二表面，所述活性层面对所述第一化合物半导体层的第二表面，所述第二化合物半导体层包括面对所述活性层的第一表面和面对所述第二化合物半导体层的所述第一表面的第二表面；然后，

在所述第二化合物半导体层的第二表面上形成第二电极和第二光反射层；此后，

在所述第一化合物半导体层的第一表面侧形成突出部；然后，

至少在所述突出部上形成平滑层，然后，对所述平滑层的表面进行平滑；此后，

在所述平滑层的至少部分上形成第一光反射层，并形成与所述第一化合物半导体层电连接的第一电极，其中，

所述突出部和所述平滑层构成凹面镜部分，并且

所述第二光反射层具有平坦形状。

8.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，其中，所述平滑层的表面上的平滑处理基于湿法蚀刻。

9.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，其中，所述平滑层的表面上的平滑处理基于干法蚀刻。

10.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，其中，在所述平滑层与所述第一光反射层之间的界面处的所述平滑层的表面粗糙度Ra₁的值小于在所述突出部与所述平滑层之间的界面处的所述突出部的表面粗糙度Ra₂的值。

11.根据权利要求10所述的发光元件的制造方法，其中，所述表面粗糙度Ra₁的值小于或等于1.0nm。

12.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，其中，所述突出部的顶部处的所述平滑层的平均厚度比所述突出部的边缘处的所述平滑层的平均厚度薄。