[发明专利]基于实时虚拟计量学的前馈式运行批次间晶片生产控制系统

权利要求书

1.一种先进过程控制(APC)系统，包括：

对目标晶片执行第一过程的第一加工工具；

在第一过程完成之后对所述目标晶片执行第二过程的第二加工工具；

包括预测模型的预测服务器，所述预测模型用于使用来自对所述目标晶片执行的所述第一过程的实时数据来预测由所述第一过程得到的所述目标晶片的特征，所述预测模型的参数被先前第一过程的历史数据更新；以及

耦接至所述第一加工工具和所述第二加工工具的控制器，其中，在所述第一加工工具对所述目标晶片执行所述第一过程之后，所述控制器基于由所述预测模型预测的所述目标晶片的特征对所述第二加工工具发出指令，使之对所述目标晶片执行经调整的第二过程。

2.根据权利要求1所述的APC系统，进一步包括模型训练服务器，其用于使用所述历史数据来更新训练模型从而使所述训练模型的参数与所述预测模型同步。

3.根据权利要求2所述的APC系统，其中：

所述历史数据是通过以一定频率将所述实时数据添加至所述历史数据而被更新的，并且

经训练的模型是基于更新后的历史数据被更新的，从而所述预测模型是以所述频率被更新的。

4.根据权利要求3所述的APC系统，其中，所述频率为大约每五分钟一次或更高。

5.根据权利要求1所述的APC系统，进一步包括缓冲器，所述缓冲器对来自预测服务器的请求排队并且采用可用控制器。

6.根据权利要求1所述的APC系统，其中：

所述历史数据包括由所述第一加工工具收集的先前第一过程的制造数据，并且

所述实时数据包括由所述第一加工工具收集的、由对所述目标晶片执行所述第一过程而得到的制造数据。

7.根据权利要求6所述的APC系统，其中，所述历史数据进一步包括先前第一过程的计量学数据。

8.根据权利要求1所述的APC系统，其中，由第一过程得到的所述目标晶片的预测特征包括临界尺寸(CD)或蚀刻速率(ER)中的至少一者。

9.根据权利要求8所述的APC系统，其中：

所述第一过程是蚀刻过程，并且

所述第一加工工具是蚀刻工具。

10.根据权利要求9所述的APC系统，其中：

所述历史数据包括先前第一过程的CD或ER中的至少一者以及先前第一过程的温度、蚀刻剂、压强、流速或过程时间中的至少一者，并且

所述实时数据包括对所述目标晶片执行的第一过程的温度、蚀刻剂、压强、流速或过程时间中的至少一者。

11.根据权利要求8所述的APC系统，其中：

所述第二过程是蚀刻过程，并且

所述第二工具是蚀刻工具。

12.根据权利要求11所述的APC系统，其中，由所述控制器调整温度、蚀刻剂、压强、流速或过程时间中的至少一者，以执行经调整的第二过程。

13.一种先进过程控制(APC)系统，包括：

对目标晶片执行第一过程的第一加工工具；

在第一过程完成之后对所述目标晶片执行第二过程的第二加工工具；以及

耦接至所述第一加工工具和所述第二加工工具的控制器，其中，在所述第一加工工具对所述目标晶片执行了所述第一过程之后，所述控制器基于由所述第一过程得到的所述目标晶片的特征对所述第二加工工具发出指令，使其对所述目标晶片执行经调整的第二过程，所述目标晶片的所述特征是由所述预测模型使用由对所述目标晶片执行的所述第一过程得到的实时数据预测出的，所述预测模型的参数被先前第一过程的历史数据更新。