[发明专利]用于三维存储器的多管芯峰值功率管理

权利要求书

1.一种存储器管芯上的峰值功率管理电路，包括：

并联布置的第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管各自包括分别电连接到第一电源和第二电源的漏极端子；

电阻器，所述电阻器具有电连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管的相应源极端子的第一端子；

所述存储器管芯上的第一接触焊盘，所述第一接触焊盘通过管芯到管芯连接而电连接到不同存储器管芯上的第二接触焊盘；以及

第三晶体管，所述第三晶体管具有电连接到所述电阻器的第二端子的漏极端子、以及电连接到所述第一接触焊盘的源极端子。

2.根据权利要求1所述的峰值功率管理电路，还包括：

放大器，所述放大器具有电连接到所述第三晶体管的所述漏极端子的输入端子。

3.根据权利要求2所述的峰值功率管理电路，其中，所述放大器是比较器。

4.根据权利要求1所述的峰值功率管理电路，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

5.根据权利要求1所述的峰值功率管理电路，其中，所述第三晶体管是n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

6.根据权利要求1所述的峰值功率管理电路，还包括：

电流源，所述电流源被配置为基于流过所述电流源的下拉电流来控制所述存储器管芯上的峰值功率操作器件。

7.根据权利要求6所述的峰值功率管理电路，还包括：

第四晶体管，所述第四晶体管与所述电流源和所述第一接触焊盘电连接。

8.根据权利要求1所述的峰值功率管理电路，其中，所述第一接触焊盘通过引线键合电连接到所述不同存储器管芯上的所述第二接触焊盘，所述管芯到管芯连接包括金属引线。

9.根据权利要求1所述的峰值功率管理电路，其中，所述第一接触焊盘通过倒装芯片键合或管芯到管芯键合而电连接到所述不同存储器管芯上的所述第二接触焊盘，所述管芯到管芯连接包括金属或导电材料。

10.一种用于具有一个或多个存储器管芯的存储器芯片的峰值功率管理(PPM)的方法，其中，所述一个或多个存储器管芯中的每个存储器管芯包括峰值功率管理(PPM)电路，所述方法包括：

对所述存储器芯片中的选定存储器管芯执行第一管理阶段，执行所述第一管理阶段包括：

将所述PPM电路中的接触焊盘的电位与第一预定电压进行比较，其中，所述接触焊盘与不同存储器管芯的第二接触焊盘电连接；以及

当所述接触焊盘的所述电位高于所述第一预定电压时，将电连接到所述PPM电路中的所述接触焊盘的电流源的下拉电流设置为与对所述选定存储器管芯的峰值功率操作对应的估计峰值功率电流。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

对所述选定存储器管芯执行第二管理阶段，执行所述第二管理阶段包括：

将所述接触焊盘的所述电位与低于所述第一预定电压的第二预定电压进行比较；

当所述接触焊盘的所述电位低于所述第二预定电压时，将流过电连接到所述PPM电路中的所述接触焊盘的电阻器的总电流与在所述选定存储器管芯上允许的最大电流进行比较；以及

当所述总电流小于所述最大电流时，对所述选定存储器管芯执行所述峰值功率操作。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在执行所述第一管理阶段与执行所述第二管理阶段之间添加时间延迟，其中，所述时间延迟对于不同存储器管芯是不同的。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，执行所述第二管理阶段还包括：

当所述接触焊盘的所述电位不低于所述第二预定电压时，重复对所述接触焊盘的所述电位与所述第二预定电压的比较。