[发明专利]三维NAND存储器件以及形成其的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

堆叠层，其包括在垂直方向上被交替地布置在衬底之上的字线层和绝缘层；

第一连接区域，其被布置于在所述堆叠层中形成的第一存储块的第一阵列区域之间；

第一分隔结构，其被沿着所述第一连接区域和所述第一阵列区域的第一侧安置，所述第一分隔结构在所述垂直方向上延伸穿过所述堆叠层进入所述衬底中；

第二分隔结构，其被沿着所述第一连接区域和所述第一阵列区域的相对的第二侧安置，所述第二分隔结构包括沿着所述第一阵列区域的所述第二侧安置的阵列分隔结构以及沿着所述第一连接区域的所述第二侧安置的连接分隔结构，所述连接分隔结构被布置在所述阵列分隔结构之间并且进一步在所述垂直方向上延伸穿过所述堆叠层进入所述衬底中；以及

栅极线缝隙结构，其平行于所述第一分隔结构和所述阵列分隔结构，以将所述第一阵列区域分成子块，

其中，所述连接分隔结构与所述阵列分隔结构对齐。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接分隔结构具有自顶向下剖面，所述自顶向下剖面是笔直剖面、弯曲剖面或方波剖面中的一项。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接分隔结构具有作为不连续剖面的自顶向下剖面，所述不连续剖面包括：被设置为与所述阵列分隔结构中的第一阵列分隔结构相邻的第一部分、以及被设置为与所述阵列分隔结构中的第二阵列分隔结构相邻的相对的第二部分。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接分隔结构具有包括以下各项的自顶向下剖面：与所述阵列分隔结构中的第一阵列分隔结构直接接触的具有笔直剖面的第一部分、与所述阵列分隔结构中的第二阵列分隔结构直接接触的具有所述笔直剖面的第二部分、以及被安置在所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第三部分具有作为以下各项中的一项的剖面：卵形剖面、正方形剖面或长方形剖面。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接分隔结构的侧壁包括沿着第一方向的突出部分。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述连接分隔结构的所述侧壁包括被交替地布置的第一部分和第二部分，所述第二部分沿着所述第一方向突出。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接分隔结构包括SiN、SiO或SiCN中的至少一项，并且所述阵列分隔结构包括多晶硅、钨、钴、钌、铜或铝中的至少一项。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一连接区域还包括：

第一壁结构，其被沿着所述第一分隔结构安置并且在所述第一阵列区域之间延伸；以及

第一阶梯区域，其被安置在所述第一壁结构和所述连接分隔结构之间并且在所述第一阵列区域之间延伸。

10.如权利要求9所述的半导体器件，还包括：

第二连接区域，其被布置于在所述堆叠层中形成的第二存储块的第二阵列区域之间；以及

第三分隔结构，其被沿着所述第二连接区域和所述第二阵列区域的第一侧安置，所述第三分隔结构在所述垂直方向上延伸穿过所述堆叠层进入所述衬底中，其中：

所述第二分隔结构被安置在所述第一存储块和所述第二存储块之间，并且沿着所述第二连接区域和所述第二阵列区域的相对的第二侧延伸；

所述第二分隔结构中的所述阵列分隔结构沿着所述第二阵列区域的所述第二侧被安置，并且被布置在所述第一阵列区域和所述第二阵列区域之间；以及

所述第二分隔结构中的所述连接分隔结构被沿着所述第二连接区域的所述第二侧安置，并且被布置在所述第一连接区域和所述第二连接区域之间，其中：

第二壁结构，其被沿着所述第三分隔结构安置并且在所述第二阵列区域之间延伸，以及

第二阶梯区域，其被安置在所述第二壁结构和所述连接分隔结构之间，所述第二阶梯区域被设置在所述第二阵列区域之间，所述第二阶梯区域通过所述连接分隔结构与所述第一阶梯区域隔开。