[发明专利]金属污染测试装置和方法

权利要求书

1.一种用于测试金属污染的装置，所述装置包括：

腔室，在其中放置测试对象，其中，所述测试对象包括裸晶圆和石英片，并且其中，所述裸晶圆和所述石英片之间的间隙不超过2毫米；

气体供应部，其被配置为将氮气供应到所述腔室中，并且其中，所述气体供应部还被配置为将氨供应到所述腔室中；

压力控制器，其被配置为在所述腔室中施加至少1托的压力；以及

测量单元，其被配置为从所述测试对象测量金属的浓度。

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述石英片包含所述金属；以及

所述金属的所述浓度是从所述裸晶圆测量的。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述石英片包括保持所述裸晶圆的晶圆保持器。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的装置，其中，所述金属包括铜。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述压力在15托和100托之间。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述压力为30托。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述测量单元包括全反射x射线荧光(TXRF)或电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)。

8.根据权利要求1所述的装置，还包括温度控制器，所述温度控制器被配置为在所述腔室中施加在600℃与900℃之间的温度。

9.一种用于测试金属污染的系统，包括：

半导体制造装置，其包括：

腔室，在其中放置裸晶圆和被金属污染的石英片，其中，所述裸晶圆和所述石英片之间的间隙不超过2毫米；

气体供应部，其被配置为将氮气供应到所述腔室中，并且其中，所述气体供应部还被配置为将氨供应到所述腔室中；以及

压力控制器，其被配置为在所述腔室中施加至少1托的压力；以及金属污染测量单元，其被配置为从所述裸晶圆测量所述金属的浓度。

10.根据权利要求9所述的系统，其中，所述石英片包括保持所述裸晶圆的晶圆保持器。

11.根据权利要求9或10所述的系统，其中，所述金属包括铜。

12.根据权利要求9所述的系统，其中，所述压力在15托和100托之间。

13.根据权利要求12所述的系统，其中，所述压力为30托。

14.根据权利要求9所述的系统，其中，所述金属污染测量单元包括全反射x射线荧光(TXRF)或电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)。

15.根据权利要求9所述的系统，其中，所述半导体制造装置还包括温度控制器，所述温度控制器被配置为在所述腔室中施加在600℃与900℃之间的温度。

16.根据权利要求9所述的系统，其中所述半导体制造装置包括低压化学气相沉积(LPCVD)装置。

17.一种用于测试金属污染的方法，所述方法包括：

在腔室中提供测试对象，其中，所述测试对象包括裸晶圆和石英片，并且其中，所述裸晶圆和所述石英片之间的间隙不超过2毫米；

将氮气供应到所述腔室中；

将氨供应到所述腔室中；

在所述腔室中施加至少1托的压力；以及

从所述测试对象测量金属的浓度。

18.根据权利要求17所述的方法，其中：

所述石英片包含所述金属；以及

所述金属的所述浓度是从所述裸晶圆测量的。