[实用新型]一种MOS驱动保护反馈电路有效

专利信息
申请号: 202023339905.1 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN213876391U 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 吴智声 申请(专利权)人: 福建飞毛腿动力科技有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042
代理公司: 厦门龙格思汇知识产权代理有限公司 35251 代理人: 林显木
地址: 350015 福建省福州市马*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 mos 驱动 保护 反馈 电路
【说明书】:

实用新型公开了一种MOS驱动保护反馈电路,包括单片机反馈电路、驱动模块A、驱动模块B、负载RL、开关SW1、充电器P、开关SW2、电源VCC、电芯,本实用新型通过驱动模块A、驱动模块B来驱动负载RL和充电器P,因此本实用新型是两路驱动电路,当其中一路驱动电路中的MOS管击穿后,另一路的驱动电路能够继续工作,且电路不会被烧坏,并不会引起燃烧事故,在继续工作的前提下并有充足的时间向单片机反馈,并通过告警系统告警。

技术领域

本实用新型涉及一种MOS驱动保护反馈电路。

背景技术

随着社会的进步和发展,仓储、家庭、出行等方面的智能化,可移动的消费类电子产品的多元化,电池作为清洁能源的提供者,使其越来越受到广大消费者的追捧和青睐,成为电子产品不可或缺的一部分。在应用过程中,电池作为能源的输出端,通过一定条件的充电、放电、高温成组存储、低温成组存储测等测试项目,考量电芯的性能是否符合使用条件,提高应用中的安全、运行系数,在长期的使用过程当中,帮助电池降低使用过程中故障率,为用户在使用过程中,提供更为安心的服务,提高用户认可度,成为一项非常有意义的研究课题。

现有的方案如图1所示,MOS驱动电压为一路,当某种异常导致最薄弱的MOS管Q42的D极与S极之间或G极与S极之间击穿后,将拉低所有MOS管GS驱动,正常的MOS管无法开启,击穿的MOS无法关闭,导致急剧发热,发生烧PCB等安全隐患。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术中的不足,提供一种MOS驱动保护反馈电路。

为了达到上述目的,本实用新型是通过以下技术方案实现的:

一种MOS驱动保护反馈电路,包括单片机反馈电路、驱动模块A、驱动模块B、负载RL、开关SW1、充电器P、开关SW2、电源VCC、电芯,所述驱动模块A包括MOS管Q36、三极管Q41、三极管Q35、电阻R58、电阻R59、电阻R63、稳压二极管ZD32,所述驱动模块B包括MOS管Q43、三极管Q44、三极管Q45、电阻R104、电阻R109、电阻R112、稳压二极管ZD33,所述单片机反馈电路连接电芯的负极,所述单片机反馈电路连接电源VCC,所述MOS管Q36的G极、MOS管Q43的G极都连接单片机反馈电路,所述MOS管Q36的S极、MOS管Q43的S极都连接单片机反馈电路,所述电阻R58的一端连接MOS管Q36的G极,所述电阻R58的另一端连接三极管Q41的基极,所述三极管Q41的集电极连接地信号GND,所述三极管Q41的发射极通过稳压二极管ZD32连接地信号GND,所述三极管Q35的基极连接三极管Q41的发射极,所述三极管Q35的发射极连接三极管Q41的基极,所述三极管Q35的集电极通过电阻R59连接12V电压,所述三极管Q41的发射极通过电阻R63连接12V电压,所述电阻R104的一端连接MOS管Q43的G极,所述电阻R104的另一端连接三极管Q45的基极,所述三极管Q45的集电极连接地信号GND,所述三极管Q45的发射极通过稳压二极管ZD33连接地信号GND,所述三极管Q44的基极连接三极管Q45的发射极,所述三极管Q45的集电极通过电阻R109连接12V电压,所述三极管Q45的发射极通过电阻R112连接12V电压,所述MOS管Q36的D极、MOS管Q43的D极都连接开关SW1的一端,所述开关SW1的另一端连接负载RL的一端,所述开关SW1的一端通过开关SW2连接充电器P的一端,所述负载RL的另一端、充电器P的另一端都连接电芯的正极。

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