[实用新型]一种MOS驱动保护反馈电路

权利要求书

1.一种MOS驱动保护反馈电路，其特征在于，包括单片机反馈电路(1)、驱动模块A(2)、驱动模块B(3)、负载RL、开关SW1、充电器P、开关SW2、电源VCC、电芯(4)，所述驱动模块A(2)包括MOS管Q36、三极管Q41、三极管Q35、电阻R58、电阻R59、电阻R63、稳压二极管ZD32，所述驱动模块B(3)包括MOS管Q43、三极管Q44、三极管Q45、电阻R104、电阻R109、电阻R112、稳压二极管ZD33，所述单片机反馈电路(1)连接电芯(4)的负极，所述单片机反馈电路(1)连接电源VCC，所述MOS管Q36的G极、MOS管Q43的G极都连接单片机反馈电路(1)，所述MOS管Q36的S极、MOS管Q43的S极都连接单片机反馈电路(1)，所述电阻R58的一端连接MOS管Q36的G极，所述电阻R58的另一端连接三极管Q41的基极，所述三极管Q41的集电极连接地信号GND，所述三极管Q41的发射极通过稳压二极管ZD32连接地信号GND，所述三极管Q35的基极连接三极管Q41的发射极，所述三极管Q35的发射极连接三极管Q41的基极，所述三极管Q35的集电极通过电阻R59连接12V电压，所述三极管Q41的发射极通过电阻R63连接12V电压，所述电阻R104的一端连接MOS管Q43的G极，所述电阻R104的另一端连接三极管Q45的基极，所述三极管Q45的集电极连接地信号GND，所述三极管Q45的发射极通过稳压二极管ZD33连接地信号GND，所述三极管Q44的基极连接三极管Q45的发射极，所述三极管Q45的集电极通过电阻R109连接12V电压，所述三极管Q45的发射极通过电阻R112连接12V电压，所述MOS管Q36的D极、MOS管Q43的D极都连接开关SW1的一端，所述开关SW1的另一端连接负载RL的一端，所述开关SW1的一端通过开关SW2连接充电器P的一端，所述负载RL的另一端、充电器P的另一端都连接电芯(4)的正极。

2.根据权利要求1所述一种MOS驱动保护反馈电路，其特征在于，所述单片机反馈电路(1)包括单片机(11)、告警系统(12)、电阻R56、电阻R57、电阻R1、电阻RS、三极管Q17、二极管D23、二极管D24、二极管D26、二极管D27，所述三极管Q17的发射极通过电阻R56连接电源VCC，所述三极管Q17的发射极、告警系统(12)都连接单片机(11)，所述三极管Q17的集电极连接地信号GND，所述电源VCC通过电阻R57连接三极管Q17的基极，所述电阻R1的一端连接地信号GND，所述电阻R1的另一端连接电阻RS的一端，所述电阻R1的另一端还连接电芯(4)的负极，所述MOS管Q36的S极、MOS管Q43的S极都连接电阻RS的另一端，所述三极管Q17的集电极通过二极管D26连接二极管D27的正极，所述二极管D27的正极连接二极管D24的正极，所述二极管D27的负极连接二极管D23的正极，所述二极管D23的负极连接MOS管Q36的G极，所述二极管D24的负极连接MOS管Q43的G极。

3.根据权利要求2所述一种MOS驱动保护反馈电路，其特征在于，所述三极管Q17为PNP三极管。

4.根据权利要求1所述一种MOS驱动保护反馈电路，其特征在于，所述MOS管Q36、MOS管Q43都为N沟道MOS管。

5.根据权利要求1所述一种MOS驱动保护反馈电路，其特征在于，所述三极管Q41、三极管Q45都为PNP三极管，所述三极管Q35、三极管Q44都为NPN三极管。

6.根据权利要求1所述一种MOS驱动保护反馈电路，其特征在于，所述电源VCC为3.3V或5V。