[实用新型]柔性显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 202023322247.5 | 申请日: | 2020-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN213958958U | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
| 发明(设计)人: | 葛泳;许晓伟 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 方晓燕 |
| 地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 柔性 显示 面板 显示装置 | ||
在本实用新型中提供了一种柔性显示面板及显示装置,该柔性显示面板包括第一显示区和与第一显示区邻接的第二显示区,其中,第一显示区的光透过率大于第二显示区的光透过率;柔性显示面板包括基板,基板包括位于第一显示区的透明玻璃基板和位于第二显示区的柔性基板。该柔性显示面板,通过在第一显示区和第二显示区采用两种不同材质的基板,在满足柔性显示面板柔韧性要求的同时,利用透明玻璃的光透过率优于其他材料的特点,提升第一显示区的光透过率,进而实现优化屏下摄像效果的目的。
技术领域
本申请涉及显示领域,具体而言,涉及一种柔性显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,全面屏以其具有较大的屏占比、超窄的边框,提高视觉效果等优点而备受关注。屏下显示也受到越来越多手机厂商和面板厂商的关注。屏下显示的特点是:在拍照时,光线会投射到屏幕摄像头区域,然后进入传感器实现拍照;在不拍照时,屏幕会显示正常的颜色。由于摄像头是位于显示屏的下面,显示屏中的部分结构会影响摄像头的光透过率,使得拍摄出来的照片分辨率不高,因此,要实现全面屏的显示技术,摄像头区域的光透过率成为重点关注对象。
实用新型内容
为了克服上述技术背景中所提及的技术问题,本申请实施例提供了一种柔性显示面板及显示装置,用以优化屏下摄像效果。
为此,在本实用新型中提供了一种柔性显示面板,该柔性显示面板包括第一显示区和与所述第一显示区邻接的第二显示区,其中,所述第一显示区的光透过率大于所述第二显示区的光透过率;所述柔性显示面板包括基板,所述基板包括位于所述第一显示区的透明玻璃基板和位于所述第二显示区的柔性基板。
在一种可选实施方式中,所述柔性基板上形成有一个通孔结构,所述第一显示区在所述柔性显示面板上的正投影位于所述通孔结构在所述柔性显示面板上的正投影的范围内。
在一种可选实施方式中,所述透明玻璃基板与所述柔性基板相贴且不同层。
在一种可选实施方式中,所述通孔结构在所述柔性显示面板上的正投影位于所述透明玻璃基板在所述柔性显示面板上的正投影的范围内。
在一种可选实施方式中,所述柔性显示面板还包括叠层设置在所述基板上方的器件层,所述器件层包括排布在所述第一显示区的多个第一像素,以及排布在所述第二显示区的多个第二像素,其中所述第二像素的排布密度大于所述第一像素的密度。
在一种可选实施方式中,所述柔性显示面板还包括叠层设置在所述基板和所述器件层之间的阵列层,所述阵列层包括排布在所述第二显示区的多个第一像素驱动电路和多个第二像素驱动电路,所述第一像素驱动电路临近所述第一显示区设置且与所述第一像素一一对应连接,所述第二像素驱动电路与所述第二像素一一对应连接。
在一种可选实施方式中,所述器件层包括阳极层,所述阳极层包括多个第一阳极和多个第二阳极,每个所述第一阳极与一个所述第一像素在阳极层上的正投影交叠,每个所述第二阳极与一个所述第二像素在阳极层上的正投影交叠。
在一种可选实施方式中,所述第一阳极与所述第一像素驱动电路通过透明的第一导线相连,所述第一阳极包括层叠设置的至少两层第一子阳极,最靠近所述阵列层设置的所述第一子阳极与所述第一导线一体成型。
在一种可选实施方式中,所述第一导线与所述第一像素驱动电路之间通过透明的第二导线相连,所述第二导线跨越所述第一显示区和所述第二显示区之间的边界。
在本实用新型的另一个方面,还提供了一种显示装置,该显示装置包括上述柔性显示面板和摄像装置,所述柔性显示面板包括第一显示区和第二显示区,所述摄像装置对应设置在第一显示区的非显示面。
本实用新型上述柔性显示面板,通过在第一显示区和第二显示区采用两种不同材质的基板,在满足柔性显示面板柔韧性要求的同时,利用透明玻璃的光透过率优于其他材料的特点,提升第一显示区的光透过率,进而实现优化屏下摄像效果的目的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





