[实用新型]一种具有背面复合电极的双面电池有效
| 申请号: | 202023171702.6 | 申请日: | 2020-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN214378468U | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
| 发明(设计)人: | 石强;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
| 地址: | 322009 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 背面 复合 电极 双面 电池 | ||
本实用新型公开了一种具有背面复合电极的双面电池,包括硅基体,所述硅基体的正面设有PN结层、减反膜和正面电极;所述PN结层和减反膜依次设于所述硅基体上,所述正面电极与硅基体连接;所述硅基体的背面设有钝化膜、第一透明导电薄膜和背面复合电极;所述背面复合电极包括相互连接的背银电极和背面铝栅线;所述钝化膜设于所述硅基体的表面,所述第一透明导电薄膜与钝化膜连接,所述钝化膜上设有开槽,所述背面复合电极通过所述开槽与所述硅基体连接。采用本实用新型,能够得到一种结构简单、转换效率高的双面电池,该双面电池能够避免背面复合电极对钝化膜的腐蚀,从而保证钝化膜的钝化效果,提高电池的转换效率,延长电池的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种具有背面复合电极的双面电池。
背景技术
晶体硅太阳能电池的电极分为正面电极和背面复合电极,对于P型PERC双面晶体硅电池,正面电极包括正主栅线和正副栅线,背面复合电极包括背复合主栅线和背副栅线;正面电极对电池转换效率比较敏感,如电极遮光率、电极导电能力,电极接触电阻等对电池的转换效率均有较大的影响,各电池片厂商和研究者把大量的精力花费在对正面电极的优化上;背面复合电极也会影响电池转换效率,如铝空洞、电极腐蚀能力等,但提升效率的难度相对要大一些。
背面电极一般通过丝网印刷金属浆料的形式制备而成,金属浆料中的玻璃成分对硅基体背面的钝化膜具有较大的腐蚀性,会破坏钝化膜的钝化效果,从而影响电池的转换效率。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种具有背面复合电极的双面电池,能够避免背面复合电极对钝化膜的腐蚀,从而保证钝化膜的钝化效果,提高电池的转换效率。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种具有背面复合电极的双面电池,包括硅基体,所述硅基体的正面设有PN结层、减反膜和正面电极;
其中,所述PN结层和减反膜依次设于所述硅基体上,所述正面电极与硅基体连接;所述硅基体的背面设有钝化膜、第一透明导电薄膜和背面复合电极;所述背面复合电极包括相互连接的背银电极和背面铝栅线;
所述钝化膜设于所述硅基体的表面,所述第一透明导电薄膜与钝化膜连接,所述钝化膜上设有开槽,所述背面复合电极通过所述开槽与所述硅基体连接。
作为上述方案的改进,所述钝化膜设有开槽,所述第一透明导电薄膜覆盖所述钝化膜以及开槽的内表面,所述背面复合电极通过所述开槽和第一透明导电薄膜与所述硅基体连接。
作为上述方案的改进,所述第一透明导电薄膜的厚度为5-10nm,光透过率90%。
作为上述方案的改进,所述钝化膜和第一透明导电薄膜均设有开槽,所述背面复合电极通过所述开槽与所述硅基体直接连接。
作为上述方案的改进,所述第一透明导电薄膜的厚度为5-50nm,光透过率90%。
作为上述方案的改进,所述第一透明导电薄膜为ITO薄膜、AZO薄膜、FTO薄膜、IMO薄膜中的一种或其组合。
作为上述方案的改进,所述背面复合电极的背面铝栅线包括背面铝副栅线和背面铝主栅线,所述背面铝副栅线和背面铝主栅线相连接;所述背银电极镶嵌在背面铝主栅线中。
作为上述方案的改进,所述硅基体的背面还设有第二透明导电薄膜,所述第二透明导电薄膜覆盖所述背面铝副栅线和背面铝主栅线,所述背面铝副栅线和背面铝主栅线设于第二透明导电薄膜的内表面,所述背银电极设于第二透明导电薄膜的外表面。
作为上述方案的改进,所述第二透明导电薄膜厚度为20-30nm,光透过率90%;
作为上述方案的改进,所述第二透明导电薄膜为ITO薄膜、AZO薄膜、FTO薄膜、IMO薄膜中的一种或其组合。
实施本实用新型,具有如下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





