[实用新型]一种耐高压的结型场效应管有效

专利信息
申请号: 202023165361.1 申请日: 2020-12-23
公开(公告)号: CN213716907U 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 吴金铭;葛柱;龙立俊;吴小红;瞿勇铣 申请(专利权)人: 东莞平晶微电子科技有限公司
主分类号: H01L29/80 分类号: H01L29/80;H01L29/40;H01L23/32;H01L23/367;H01L23/373
代理公司: 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 代理人: 何耀煌
地址: 523000 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压 场效应
【说明书】:

实用新型公开了一种耐高压的结型场效应管,包括卡接块、P型衬底、源极极片、栅极极片和漏极极片,所述P型衬底的下表面固定安装有上衬板,且上衬板的下表面固定安装有上轴承,所述上轴承的转动安装有转轴,所述转轴的一端对接安装有下轴承,所述下轴承的下表面固定安装有下衬板,所述P型衬底的外表面等间距设有卡接块,所述P型衬底的上表面贴服安装有小型石墨烯导热板。本实用新型通过在P型衬底的一端固定安装有栅极极片和漏极极片,且栅极极片和漏极极片的外表面等间距设有多晶硅场极板,通过多晶硅场极板的使用,能够在一定的情况上改善装置使用时的电荷分布,从而能使装置具有一定的耐高压的能力。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域,具体为一种耐高压的结型场效应管。

背景技术

场效应晶体管,简称场效应管是一种电压放大器件,它具有三个电极:栅极、漏极、源极,并且通常是在单晶衬底上制作的,场效应晶体管有两种基本类型:结型(JFET)和金属-氧化物型(MOSFET),其中的结型场效应管又分为n沟道和p沟道两种,而对于结型场效应管被使用与在大多的半导体领域中,这时,一种耐高压的结型场效应管也就应运而生。

现有的结型场效应管存在的缺陷是:

1、现有的结型场效应管在使用时,耐压程度较低,无法做成耐高压的结场型效应管;

2、现有的结型场效应管大多会由于在高温的情况下,PN结的反向电流会增大,栅源极之间的电阻会显著下降,导致使用时会有一定的影响;

3、现有的结型场效应管在安装时,会受到一定的安装环境的影响,导致安装较为困难。

为此我们提出一种耐高压的结型场效应管来解决现有的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种耐高压的结型场效应管,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种耐高压的结型场效应管,包括卡接块、P型衬底、源极极片、栅极极片和漏极极片,所述P型衬底的下表面固定安装有上衬板,且上衬板的下表面固定安装有上轴承,所述上轴承的转动安装有转轴,所述转轴的一端对接安装有下轴承,所述下轴承的下表面固定安装有下衬板,所述P型衬底的外表面等间距设有卡接块,所述P型衬底的上表面贴服安装有小型石墨烯导热板,所述P型衬底的一端固定安装有栅极极片和漏极极片,且栅极极片和漏极极片的外表面等间距设有多晶硅场极板。

优选的,所述卡接块的外表面设有预装孔,所述预装孔的上表面贯穿安装有紧固螺丝。

优选的,所述小型石墨烯导热板和P型衬底之间设有二氧化硅绝缘层。

优选的,所述P型衬底的一端固定安装有源极极片。

优选的,所述源极极片、栅极极片和漏极极片的一端与P型衬底的一侧均对接安装有连接块。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

1、本实用新型通过在P型衬底的一端固定安装有栅极极片和漏极极片,且栅极极片和漏极极片的外表面等间距设有多晶硅场极板,通过多晶硅场极板的使用,能够在一定的情况上改善装置使用时的电荷分布,从而能使装置具有一定的耐高压的能力。

2、本实用新型通过在P型衬底的上表面贴服安装有小型石墨烯导热板,通过小型石墨烯导热板的使用,在装置作业时,达到一定的导热散热的能力,避免在高温的情况下,PN结的反向电流会增大,导致栅源极之间的电阻会显著下降,影响装置的使用的稳定性,且缩短装置的使用寿命。

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