[实用新型]一种适用于折叠柔性显示的薄膜封装结构

说明书

本实用新型公开了一种适用于折叠柔性显示的薄膜封装结构，其特征在于，结构包括第一无机层(1)、有机层(3)和第二无机层(2)，所述第一无机层(1)和第二无机层(2)由扩散阻挡层(4)和阻隔层(5)交替叠加而成。采用交叠结构代替原有的第一无机层/第二无机层结构，通过多次成膜，降低每一次成膜膜层的内应力，减少出现膜层crack，peeling的问题，多层结构为阻隔层+扩散抑制层的组合结构，在满足封装阻隔性能的基础上，重点防止无机层中NH_x^*自由基的扩散。交叠封装结构既可以阻挡外界环境中有害气体对OLED器件的腐蚀，又可以阻挡整体结构中下方薄膜对上方薄膜的腐蚀。

技术领域

本实用新型涉及一种适用于折叠柔性显示的薄膜封装结构，属折叠柔性AMOED封装技术领域。

背景技术

AMOLED器件对水气，氧气比较敏感，在完成OLED发光器件制作之后，在OLED器件上方必须添加封装保护层，用于阻隔外界环境中水气，氧气对OLED器件的腐蚀，确保 OLED器件在正常显示并提升使用寿命。

AMOLED器件的封装方法主要为UV封装，Frit封装和薄膜封装等类型。对于柔性AMOLED显示屏体来说，UV胶封装和Frit封装由于玻璃盖板的存在，无法满足柔性的需求，因此只能采用薄膜封装(TFE)方式。

对于薄膜封装来说，可以采用无机薄膜封装，有机薄膜封装，无机/有机薄膜封装等封装结构。考虑封装效果及量产可行性，目前业界主要采用无机/有机薄膜封装结构。其中无机层主要用于水气，氧气等有害气体物质的阻隔，有机层主要用于平衡无机层的应力。

现有技术方案一：现有薄膜封装结构采用CVD1-IJP-CVD2三层封装结构。CVD1(第一无机层)采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)工艺，成膜种类一般为SiNx(聚氮化硅)/SiONx(聚氮氧化硅)/SiOx(聚氧化硅)，薄膜厚度为0.5～1.5um；IJP采用喷墨打印工艺，成膜种类一般为亚克力/环氧/有机硅，薄膜厚度为5～20um；CVD2(第二无机层) 采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)工艺，成膜种类一般为SiNx/SiONx/SiOx，薄膜厚度为0.5～1.5um。

该方案缺点是等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)沉积工艺所成SiNx/SiONx/SiOx 薄膜为无机薄膜应力较大，且一般为压应力。对于折叠柔性来说，过大的内应力在弯折过程中容易出现薄膜crack，膜层peeling现象，从而导致不良产生。特别对于外弯折叠显示来说，在屏幕处于外弯折叠应用情形下，屏幕处于拉伸状态，与薄膜封装CVD1/CVD2成膜所成压应力相斥，更容易出现薄膜裂纹(crack)，分层(peeling)等异常，造成屏幕的显示不良。对于IJP工艺来说，由于采用喷墨打印工艺，为了防止成膜原料的液体流动性，保证成膜边缘位置处于所需求位置，一般在边缘处制作堤坝(Dam)用于阻止成膜原料油墨的流动，一般采用双堤坝，即内堤坝，外堤坝设置。由于堤坝的高度相比非堤坝区域高度要高， CVD1/CVD2膜层在堤坝爬坡之处容易出现断线，薄膜过薄等异常状况，造成最终显示不良产生。

对于折叠柔性AMOLED器件来说，目前CVD膜层使用的SiX薄膜，其成膜原料中含有氨气(NH3)，氨气在PECVD设备中无法被完全解离，所形成的自由基中包含NH_x^*。在多次弯折过程中，如果CVD薄膜出现crack，其薄膜中所含有的NH_x^*自由基会进行扩散，与偏光片中的碘离子发生反应，从而造成偏光片失效。

现有技术方案二：采用ALD1+CVD1/IJP/ALD2+CVD2多层封装结构。采用原子层沉积(ALD)工艺增强或者替代CVD薄膜。ALD成膜种类一般为AlOx/SiOx，成膜厚度 30～100nm。CVD和IJP工艺与现有技术一方案相同。