[实用新型]一种交流侧分裂对称解耦单相逆变器有效

专利信息
申请号: 202022578101.0 申请日: 2020-11-10
公开(公告)号: CN213279516U 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 章勇高;樊越;刘鹏;付伟东;迮思源;柴成凯 申请(专利权)人: 华东交通大学
主分类号: H02M7/5387 分类号: H02M7/5387;H02M1/12;H02M1/34
代理公司: 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 代理人: 王月松
地址: 330013 江西省南昌市经济*** 国省代码: 江西;36
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 交流 分裂 对称 单相 逆变器
【权利要求书】:

1.一种交流侧分裂对称解耦单相逆变器,其特征在于,所述交流侧分裂对称解耦单相逆变器包括H桥逆变器,所述H桥逆变器包括对称的上半桥结构和下半桥结构,所述上半桥结构包括并联的上半桥第一单元和上半桥第二单元,所述上半桥第一单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G1、二极管D1和电容C3,所述上半桥第二单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G3、二极管D3和电容C4;所述下半桥结构包括并联的下半桥第一单元和下半桥第二单元,所述下半桥第一单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G2、二极管D2和电容C1,所述下半桥第二单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G4、二极管D4和电容C2,所述上半桥第一单元和所述下半桥第一单元之间设有电感L1,所述上半桥第二单元和所述下半桥第二单元之间设有电感L2。

2.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器,其特征在于,所述绝缘栅双极型晶体管G1的集电极和发射集之间并联所述二极管D1,所述绝缘栅双极型晶体管G2的集电极和发射集之间并联所述二极管D2,所述绝缘栅双极型晶体管G3的集电极和发射集之间并联所述二极管D3,所述绝缘栅双极型晶体管G4的集电极和发射集之间并联所述二极管D4。

3.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器,其特征在于,所述绝缘栅双极型晶体管G1的集电极、所述二极管D1的负极和所述电容C3的正极接电源的正极端,所述绝缘栅双极型晶体管G3的集电极、所述二极管D3的负极和所述电容C4的正极接电源的正极端;所述绝缘栅双极型晶体管G2的发射极、所述二极管D2的正极和所述电容C1的负极接电源的负极端,所述绝缘栅双极型晶体管G4的发射极、所述二极管D4的正极和所述电容C2的负极接电源的负极端。

4.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器,其特征在于,所述电感L1和所述电感L2为交流侧滤波电感。

5.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器,其特征在于,所述电容C1、所述电容C2、所述电容C3和所述电容C4为交流侧原有对称分裂滤波电容,所述电容C1、所述电容C2、所述电容C3和所述电容C4用于缓冲系统二倍频功率。

6.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器,其特征在于,还包括电阻,所述电阻位于所述上半桥第一单元、所述上半桥第二单元、所述下半桥第一单元和所述下半桥第二单元之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东交通大学,未经华东交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022578101.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top