[实用新型]一种交流侧分裂对称解耦单相逆变器有效
申请号: | 202022578101.0 | 申请日: | 2020-11-10 |
公开(公告)号: | CN213279516U | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 章勇高;樊越;刘鹏;付伟东;迮思源;柴成凯 | 申请(专利权)人: | 华东交通大学 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387;H02M1/12;H02M1/34 |
代理公司: | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人: | 王月松 |
地址: | 330013 江西省南昌市经济*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 交流 分裂 对称 单相 逆变器 | ||
1.一种交流侧分裂对称解耦单相逆变器,其特征在于,所述交流侧分裂对称解耦单相逆变器包括H桥逆变器,所述H桥逆变器包括对称的上半桥结构和下半桥结构,所述上半桥结构包括并联的上半桥第一单元和上半桥第二单元,所述上半桥第一单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G1、二极管D1和电容C3,所述上半桥第二单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G3、二极管D3和电容C4;所述下半桥结构包括并联的下半桥第一单元和下半桥第二单元,所述下半桥第一单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G2、二极管D2和电容C1,所述下半桥第二单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G4、二极管D4和电容C2,所述上半桥第一单元和所述下半桥第一单元之间设有电感L1,所述上半桥第二单元和所述下半桥第二单元之间设有电感L2。
2.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器,其特征在于,所述绝缘栅双极型晶体管G1的集电极和发射集之间并联所述二极管D1,所述绝缘栅双极型晶体管G2的集电极和发射集之间并联所述二极管D2,所述绝缘栅双极型晶体管G3的集电极和发射集之间并联所述二极管D3,所述绝缘栅双极型晶体管G4的集电极和发射集之间并联所述二极管D4。
3.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器,其特征在于,所述绝缘栅双极型晶体管G1的集电极、所述二极管D1的负极和所述电容C3的正极接电源的正极端,所述绝缘栅双极型晶体管G3的集电极、所述二极管D3的负极和所述电容C4的正极接电源的正极端;所述绝缘栅双极型晶体管G2的发射极、所述二极管D2的正极和所述电容C1的负极接电源的负极端,所述绝缘栅双极型晶体管G4的发射极、所述二极管D4的正极和所述电容C2的负极接电源的负极端。
4.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器,其特征在于,所述电感L1和所述电感L2为交流侧滤波电感。
5.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器,其特征在于,所述电容C1、所述电容C2、所述电容C3和所述电容C4为交流侧原有对称分裂滤波电容,所述电容C1、所述电容C2、所述电容C3和所述电容C4用于缓冲系统二倍频功率。
6.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器,其特征在于,还包括电阻,所述电阻位于所述上半桥第一单元、所述上半桥第二单元、所述下半桥第一单元和所述下半桥第二单元之间。
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