[实用新型]长条形多孔显影液喷嘴装置

说明书

本实用新型公开了一种长条形多孔显影液喷嘴装置，包括：第一支架，长条形分配管，多个显影液喷嘴，多个清洗气体喷嘴；长条形分配管设置在第一支架上；显影液喷嘴设置在长条形分配管的底部，显影液从长条形分配管均匀分配到各显影液喷嘴中喷出；各清洗气体喷嘴对准各显影液喷嘴的侧面，清洗气体从清洗气体喷嘴喷出以去除显影液喷嘴的侧面上残留的显影液。本实用新型能防止显影液喷涂后在显影液喷嘴的侧面产生显影液残留并进而防止显影液偷滴到晶圆表面。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体集成电路制造设备，特别是涉及一种长条形多孔显影液喷嘴(LD nozzle)装置。

背景技术

半导体制造工艺中光刻区域制程为：涂胶→曝光→显影(DEV)。

显影通常在显影单元装置中进行，例如东电电子(TEL)的涂胶显影机中就包括显影单元装置。

显影单元装置中需要采用显影液喷嘴将显影液喷洒到晶圆表面。根据显影液喷嘴的形状和孔径大小不同将显影液喷嘴分为：E2、E3、H和LD nozzle。其中，LD nozzle为长条形多孔结构。

在具有LD nozzle的显影单元装置中，显影工艺能同时对6片晶圆(wafer)进行显影工序，6片晶圆分为2层，每层由一个LD nozzle分别对3片晶圆进行显影。

工厂生产时发现当LD nozzle对最右侧晶圆进行显影液喷涂后回到初始(home)位置时会有几率将挂于LD nozzle的侧面上的微量显影液滴落在复位路径中的晶圆上，造成对应的晶圆产生T型缺陷(T-map defect)，对晶圆后续制造工艺造成影响，发生低良率(lowyied)甚至报废风险。现结合附图进行说明：

如图1所示，是现有显影单元装置中长条形多孔显影液喷嘴装置复位时显影液偷滴示意图；图1中包括了2个长条形多孔显影液喷嘴装置1，其中一个位于初始位置的长条形多孔显影液喷嘴装置单独用标记1a标出；另一个长条形多孔显影液喷嘴装置1正沿着带箭头的虚线2进行移动复位。图1中共有6片晶圆3，各晶圆3分别还单独用编号31、32、33、34、35和36表示，其中，长条形多孔显影液喷嘴装置1负责对晶圆34、35和36的显影液喷洒；长条形多孔显影液喷嘴装置1a则负责对晶圆31、32和33的显影液喷洒。虚线框4对应的晶圆33和36位于远离初始位置的一侧即图1中的最右侧。图1中显示，当长条形多孔显影液喷嘴装置1完成对晶圆36的显影液喷洒后，在复位移动过程中经过晶圆35的表面上时，会有一定几率产生显影液偷滴(dropping)；最后会使晶圆35形成图2所示的T型缺陷。

如图3A所示，是现有长条形多孔显影液喷嘴装置1的正视图；包括：支架5，长条形分配管6设置在支架5上，多个显影液喷嘴7设置在长条形分配管6的底部，喷洒时，显影液会从所述长条形分配管6均匀分配到各所述显影液喷嘴7中喷出。

如图3B所示，是图1中显影液偷滴时图3A中的显影液喷嘴放大图；完成图1中的晶圆36的显影液喷洒后，在显影液喷嘴7的侧面会有显影液残留物8，在长条形多孔显影液喷嘴装置1移动到晶圆35上方时，显影液残留物8会有一定的几率偷滴到所述晶圆35的表面，如箭头线9所示，最后会使晶圆35形成图2所示的T型缺陷。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种长条形多孔显影液喷嘴装置，能防止显影液喷涂后在显影液喷嘴的侧面产生显影液残留并进而防止显影液偷滴到晶圆表面。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的长条形多孔显影液喷嘴装置包括：第一支架，长条形分配管，多个显影液喷嘴，多个清洗气体喷嘴。

所述长条形分配管设置在所述第一支架上。

所述显影液喷嘴设置在所述长条形分配管的底部，显影液从所述长条形分配管均匀分配到各所述显影液喷嘴中喷出。