[实用新型]一种背膜结构及双面PERC电池

说明书

本实用新型提供一种背膜结构及双面PERC电池，所述背膜结构包括位于电池片背面的氧化铝薄膜，在氧化铝薄膜上设有氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜上设有氮氧化硅薄膜；其中氮化硅薄膜的厚度小于氮氧化硅薄膜的厚度。本实用新型的背膜结构可以提升双面电池的背面效率，提升电池的开压和FF，现正面转换效率的提升，提高企业的效益和竞争力。

技术领域

本实用新型属于太阳能电池技术领域，涉及一种提高双面PERC背面效率的背膜结构及双面PERC电池。

背景技术

近年来，随着太阳能电池片生产技术不断进步，目前主要研究热点有HIT 电池、WMT电池、N型双面电池、P型PERC电池等，其中P型PERC电池因其工艺相对成熟，量产难度低，已成为市场主流电池技术。目前双面PERC太阳电池制备的双面组件双面率为65-75％，提升背面效率有很大的空间。因此改进背面膜层结构以及优化镀膜工艺，降低电池片背面的反射率，增加光的吸收，提升P型双面PERC电池的背面转换效率，提高P型双面PERC电池的双面率，是目前行业所关注的重点。

CN110957378A公开了一种提升P型双面电池双面率的背膜结构，包括电池片，电池片的背面依次沉积有氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化硅膜，氮化硅膜包括上层氮化硅膜、中层氮化硅膜、下层氮化硅膜，上、中、下三层氮化硅膜的厚度逐渐升高，折射率逐渐降低，氮化硅膜的总膜厚为35至55纳米，氮化硅膜的总折射率为2.12至2.20，通过该发明改进背面膜层结构以及优化镀膜工艺，有效的降低电池片背面的反射率，增加光的吸收，提升P型双面 SE PERC电池的背面转换效率，P型双面SE PERC电池的双面率由72.9％提至74.14％。然而该发明中需要包括满足如上所述特定条件的三层氮化硅膜，增加了制备工艺的复杂性。

因此，在本领域中，期望开发能够提高双面PERC的双面率、更加简单高效的背膜结构。

发明内容

针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种提高双面PERC背面效率的背膜结构及双面PERC电池。

为达到此发明目的，本实用新型采用以下技术方案：

一方面，本实用新型提供一种提高双面PERC背面效率的背膜结构，所述背膜结构包括位于电池片背面的氧化铝薄膜，在氧化铝薄膜上设有氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜上设有氮氧化硅薄膜；其中氮化硅薄膜的厚度小于氮氧化硅薄膜的厚度。

在本实用新型的背膜结构中氮化硅薄膜的厚度小于氮氧化硅薄膜的厚度，可以最大限度的减小背面太阳光的反射，从而大大提升双面电池的背面效率；同时该特有的背面膜层结构具有较优的氢钝化效果，还可以提升电池的开压和 FF，从而实现正面转换效率的提升。

优选地，所述氧化铝薄膜的厚度为5～15nm(例如5nm、6nm、7nm、8nm、 9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm或15nm)，在本实用新型中如果氧化铝薄膜的厚度小于5nm，则硅表面复合速率会增大，影响其钝化效果；如果氧化铝薄膜的厚度大于15nm，工艺时间会长，影响产能。

优选地，所述氧化铝薄膜的厚度为8～10nm。

所述氧化铝薄膜为折射率1.5～1.7(例如1.55、1.60、1.63、1.68)的氧化铝薄膜。

优选地，所述氮化硅薄膜的厚度为20～90nm(例如20nm、25nm、30nm、 35nm、40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、70nm、80nm或90nm)。在本实用新型中，如果氮化硅薄膜的厚度小于20nm，则对中长波的光吸收较少，反射率会变大；如果氮化硅薄膜的厚度大于90nm，则对短波的光吸收较少，反射率同样也会变大。

优选地，所述氮化硅薄膜的厚度为40～70nm。

所述氮化硅薄膜为折射率为2.0～2.6(例如2.0、2.1、2.2、2.3、2.4、2.6) 的氮化硅薄膜。