[实用新型]一种背膜结构及双面PERC电池有效
| 申请号： | 202022243808.6 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN214542248U | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 曹芳;叶晓亚;周思洁;邹帅;王栩生 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 膜结构 双面 perc 电池 | ||
1.一种提高双面PERC背面效率的背膜结构，其特征在于，所述背膜结构包括位于电池片背面的氧化铝薄膜，在氧化铝薄膜上设有氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜上设有氮氧化硅薄膜；其中氮化硅薄膜的厚度小于氮氧化硅薄膜的厚度；
所述氮化硅薄膜的折射率与氮氧化硅薄膜的折射率之积等于硅的折射率，所述氮化硅薄膜与氮氧化硅薄膜为光程相等的薄膜。
2.根据权利要求1所述的提高双面PERC背面效率的背膜结构，其特征在于，所述氧化铝薄膜的厚度为5～15nm。
3.根据权利要求2所述的提高双面PERC背面效率的背膜结构，其特征在于，所述氧化铝薄膜的厚度为8～10nm。
4.根据权利要求1所述的提高双面PERC背面效率的背膜结构，其特征在于，所述氧化铝薄膜为折射率1.5～1.7的氧化铝薄膜。
5.根据权利要求1所述的提高双面PERC背面效率的背膜结构，其特征在于，所述氮化硅薄膜的厚度为20～90nm。
6.根据权利要求5所述的提高双面PERC背面效率的背膜结构，其特征在于，所述氮化硅薄膜的厚度为40～70nm。
7.根据权利要求1所述的提高双面PERC背面效率的背膜结构，其特征在于，所述氮化硅薄膜为折射率为2.0～2.6的氮化硅薄膜。
8.根据权利要求1所述的提高双面PERC背面效率的背膜结构，其特征在于，所述氮氧化硅薄膜的厚度为30～120nm。
9.根据权利要求8所述的提高双面PERC背面效率的背膜结构，其特征在于，所述氮氧化硅薄膜的厚度为68～80nm。
10.根据权利要求1所述的提高双面PERC背面效率的背膜结构，其特征在于，所述氮氧化硅薄膜为折射率为1.5～1.95的氮氧化硅薄膜。
11.一种双面PERC电池，其特征在于，所述双面PERC电池包括如权利要求1-10中任一项所述的提高双面PERC背面效率的背膜结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
