[实用新型]功率器件IGBT有效
| 申请号： | 202021527269.2 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN212783458U | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 屈志军;张景超;赵善麒;戚丽娜;林茂;井亚会 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/739 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 常莹莹 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 器件 igbt | ||
1.一种功率器件IGBT，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底的第一表面的有源区；
位于所述衬底的第一表面和第二表面之间的漂移区；
位于所述衬底的第二表面的集电区，其中，所述漂移区连接所述有源区和所述集电区；
所述集电区包括交替划分的第一区域和第二区域，其中，所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积，所述第一区域和所述第二区域的导电类型不同。
2.根据权利要求1所述的功率器件IGBT，其特征在于，所述第一区域为P+区，所述第二区域为N沟道区。
3.根据权利要求2所述的功率器件IGBT，其特征在于，通过光刻技术将所述集电区分割成多个P+区，相邻两个P+区之间具有所述N沟道区。
4.根据权利要求3所述的功率器件IGBT，其特征在于，所述N沟道区的宽度在0.1μm～1μm之间，所述N沟道区的深度在0.2μm～5μm之间，所述N沟道区的电阻率在1ohm.cm～200ohm.cm之间。
5.根据权利要求1所述的功率器件IGBT，其特征在于，所述有源区包括：发射极、P阱区和绝缘介质层。
6.根据权利要求1所述的功率器件IGBT，其特征在于，所述衬底为硅基材料。
7.根据权利要求1所述的功率器件IGBT，其特征在于，所述衬底为宽禁带半导体材料SiC。
8.根据权利要求1所述的功率器件IGBT，其特征在于，还包括：
位于所述漂移区底部与所述集电区之间的缓冲层。
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