[实用新型]高压脉冲发生电路和高压脉冲发生器有效
申请号: | 202021511240.5 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN212463174U | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 肖威;吴敬元 | 申请(专利权)人: | 天津科迪特科技有限责任公司;南京理工大学北方研究院 |
主分类号: | H03K3/017 | 分类号: | H03K3/017;H03K3/0232;H03K17/687;H03K17/04;H03K3/012;H03K3/013;H02M9/04 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 安卫静 |
地址: | 300000 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 脉冲 发生 电路 发生器 | ||
本实用新型提供了一种高压脉冲发生电路和高压脉冲发生器,包括:脉冲处理电路与第一级推挽电路连接,用于发出互补的方波脉冲;悬浮电压升压电路分别与第一级推挽电路、第二级推挽电路连接,用于为第二级推挽电路进行供电;第一级推挽电路与第二级推挽电路连接,用于在方波脉冲的推动下,产生高压驱动脉冲;第二级推挽电路,用于在高压驱动脉冲的推动下,且在悬浮电压升压电路供电的情况下,产生目标高压脉冲,以对高压控制设备的开关状态进行控制。在本实用新型中,采用了悬浮电压升压电路一直对第二级推挽电路进行供电,即第二级推挽电路的驱动电压可以悬浮起来,能实现100%占空比的持续高压输出。
技术领域
本实用新型涉及电路的技术领域,尤其是涉及一种高压脉冲发生电路和高压脉冲发生器。
背景技术
现有的高压脉冲发生电路利用5V数字逻辑电路、高速脉冲整形电路及多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管为驱动,通过对输入脉冲的整形、加速、高压叠加等方式,实现高压快速脉冲的转换与生成,从而实现对设备的高速开或者关控制。
在实际的高压脉冲生成装置中,如图1所示,大多数此类脉冲生成器,都不具备DC电压信号带宽,其在实现推挽场效应管驱动时,都是采用二极管配合电容的自举升压的方式,实现低压控制高压侧边的MOS管,但是这种方式具有开关控制的重要缺陷,即无法实现100%占空比的持续高压输出。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种高压脉冲发生电路和高压脉冲发生器,以缓解现有的高压脉冲发生电路无法实现100%占空比的持续高压输出的技术问题。
第一方面,本实用新型实施例提供了一种高压脉冲发生电路,包括:脉冲处理电路、悬浮电压升压电路、第一级推挽电路和第二级推挽电路;
所述脉冲处理电路与所述第一级推挽电路连接,用于发出互补的方波脉冲;
所述悬浮电压升压电路分别与所述第一级推挽电路、所述第二级推挽电路连接,用于为所述第二级推挽电路进行供电;
所述第一级推挽电路与所述第二级推挽电路连接,用于在所述方波脉冲的推动下,产生高压驱动脉冲;
所述第二级推挽电路,用于在所述高压驱动脉冲的推动下,且在所述悬浮电压升压电路供电的情况下,产生目标高压脉冲,以对高压控制设备的开关状态进行控制。
进一步的,所述第一级推挽电路包括:第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管;
所述脉冲处理电路的第一输出端分别与所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极连接;
所述脉冲处理电路的第二输出端分别与所述第三MOS管的栅极、所述第四MOS管的栅极连接,其中,所述脉冲处理电路的第一输出端和所述脉冲处理电路的第二输出端输出的信号互补;
所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极连接,所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极连接,所述第四MOS管的源极接地。
进一步的,所述悬浮电压升压电路包括:独立电源和电容;
所述独立电源的一端与所述第一MOS管的漏极、所述电容的一端连接,所述独立电源的另一端与所述第二MOS管的源极、所述电容的另一端连接。
进一步的,所述第二级推挽电路包括:第五MOS管和第六MOS管;
所述第五MOS管的栅极与所述第一MOS管的源极连接,所述第五MOS管的源极与所述第二MOS管的源极、所述第六MOS管的漏极、所述高压控制设备连接,所述第五MOS管的漏极与可变高压电源连接;
所述第六MOS管的栅极与所述第三MOS管的源极连接,所述第六MOS管的源极接地。
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