[实用新型]LED微整列系统有效
申请号: | 202021128241.1 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN212874528U | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 吴智孟 | 申请(专利权)人: | 创新服务股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L27/15 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 李林 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 微整列 系统 | ||
本实用新型提供一种LED微整列系统,包括:一个机台;一个承载基板设在机台,该承载基板表面依阵列形成多个形状契合μLED的槽;一个摄像装置配置机台且位于承载基板上方,该摄像装置撷取槽的影像并传输到一台具备辨识软体的主机;多根操作杆设在机台,用以改变承载基板的倾斜角度,这些操作杆沿z轴方向对承载基板交错施力,提供μLED在承载基板翻转的作用力;一个磁场模块配置机台并依阵列对应承载基板的槽;以及,二个振动致动机构安装在机台,分别对承载基板施予x轴方向与y轴方向的振动。
技术领域
本实用新型涉及一种微整列系统,实现一种将微米级(Micron,缩写μ,1×10-3mm)发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)的晶粒依阵列排放整齐,有助于巨量转移(Mass Transfer)输送的方法。
背景技术
微米级LED(以下统称为μLED)与一般LED的最大差异,当然是晶粒的体积。一般LED的尺寸从100μm到1000μm,厚度由100μm到500μm。但是,μLED的尺寸在100μm以下,厚度缩减为4μm到5μm。
已知晶呈公司(Ingentec Corporation)研发一种垂直型发光二极管晶粒制造方法,是在生长基板上形成磊晶层,该磊晶层接合金属组合基板,俟生长基板去除后,在磊晶层顶部设置多个电极单元,然后分割形成多颗符合微米级的LED晶粒。从结构来看,每颗μLED有一个磊晶晶粒,该磊晶晶粒一面通过连接金属层结合一个金属组合基板,另面布置磊晶电极层并结合至少一电极单元。该金属组合基板拥有磁导率,具备导磁特性,帮助μLED进行巨量转移。
此处所称的巨量转移,泛指磊晶晶粒制作完成后,将数量庞大的μLED晶粒搬运至单片显示基板的过程。
商业应用的目标,就是希望在合理时间将数量庞大的μLED从磊晶基板精确无误地搬到显示基板。试想一台水平解析度达到4000像素、垂直解析度达到2000像素级别的显示器(又称4K电视),需要RGB三色μLED晶粒约2400万颗,即使单次转移1万颗,也需要2400次。故巨量转移的输送,如何拾取、单次转移的需求量与放置的高精密度,对μLED的商业应用影响甚巨。
已知的巨量转移技术种类繁多,譬如:静电转移技术、沾粘技术与其他的技术。
在静电转移方面,多个静电转移头排成阵列,利用静电力拾取μLED并移到目的地,解除静电力后,释放μLED的过程。
在沾粘方面,采用阵列的多个稳定腔,该稳定腔的底面周围立着多面侧壁,该侧壁是倾斜的,围成大于底面的开口。多个稳定轴分别隆起于稳定腔的底面,当稳定轴的顶面粘着μLED,该稳定轴支持μLED停留在稳定腔,完成拾取作业。
其他的技术譬如微转印,利用一个弹性体印模拾取阵列的多个μLED,改变印模移动的速度,调整印模粘着μLED的作用力(即Van der Waals Force,中译名为凡得瓦力),达到释放μLED的功效与目的。
另外,本案实用新型设计人提出一种批量移载微细元件的方法,在移载单元依阵列设置一组探针,该组探针的针头伸出移载单元底部。通过移载单元内部的一个温控流道,改变该组探针的温度,致使接着材料能够附着于针头,使用在大量的微细元件(如μLED等)转移。
然而,这些着重于巨量转移的技术,却没有提到μLED如何排列整齐。
实用新型内容
鉴于此,本案实用新型设计人提供一种微整列系统,主要目的在于:采用阵列的槽,搭配磁场与振动的交互作用,完成阵列μLED的整齐排放,相对增加巨量转移的合格率,达到巨量转移商业应用的量产目标。
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