[实用新型]一种深紫外正装结构的LED芯片

说明书

本专利涉及一种深紫外正装结构的LED芯片，包括：外延层结构，所述外延层结构包括PN结，所述PN结的顶部设置有P型AlGaN层、量子阱层以及N型AlGaN层；电极，所述电极包括N电极、P电极，所述N电极与所述N型AlGaN层直接连接；GaN层，设置在所述P型AlGaN层的上表面，所述P电极设置在所述GaN层的上表面，GaN层的图案形状与所述P电极图案的形状匹配；ITO层，所述ITO层设置在所述P型AlGaN层的上表面，位于所述GaN层的周围。在p‑GaN层留出易于欧姆接触的P电极图形，同时刻蚀出易于出光的p‑AlGaN层面，使肼层电子空穴复合后主要从正面与侧面出光，避开了p‑GaN层对紫外光的强吸收现象。

技术领域

本专利涉及半导体外延结构与芯片器件领域，具体来说是一种具有正装结构的深紫外LED芯片。

背景技术

现有技术中深紫外外延结构，包括衬底上依次形成氮化铝模板层、AlN/AlGaN超晶格应力缓冲层、n型铝镓氮层、多量子阱结构层、电子阻挡层和P型空穴传导层。基于此外延结构，深紫外芯片器件大多使用倒装结构，从透明衬底面出光或者键合新衬底。此倒装芯片结构由于P型GaN对深紫外光具有很强的吸收，同时由于光从背面透出的过程中，由于深紫外LED外延片中内部接触层材料以及外延层结构相互之间的光吸收现象而导致发光效率低、亮度差，并且此倒装结构一般需要5次光刻或以上，工艺步骤多且复杂，制造成本过高。

发明内容

本专利正是基于现有技术的上述需求而提出的，本专利要解决的技术问题包括提供一种深紫外正装结构芯片及一种深紫外正装结构芯片的制造方法，以使得制造工艺步骤减少，降低制造成本。

为了解决上次技述技术问题，本专利提供的技术方案包括：

一种深紫外正装结构的LED芯片，其特征在于，包括：外延层结构，所述外延层结构包括PN结，所述PN结的顶部设置有P型AlGaN层、量子阱层以及N 型AlGaN层；电极，所述电极包括N电极、P电极，所述N电极与所述N型AlGaN 层直接连接；GaN层，设置在所述P型AlGaN层的上表面，所述P电极设置在所述GaN层的上表面，GaN层的图案形状与所述P电极图案的形状匹配；ITO层，所述ITO层设置在所述P型AlGaN层的上表面，位于所述GaN层的周围。

优选地，所述GaN层的截面面积为所述P电极图案截面面积的120％-150％。

优选地，所述深紫外正装LED芯片的上表面还包括钝化层。

优选地，所述钝化层采用SiO₂层。

本专利在p-GaN层留出易于欧姆接触的P电极图形，同时刻蚀出易于出光的 p-AlGaN层面，使阱层电子空穴复合后主要从正面与侧面出光，避开了p-GaN层对紫外光的强吸收现象。

附图说明

图1是本专利具体实施方式一个实施例中一种深紫外正装芯片的结构图。

具体实施方式

本专利所描述的技术方案包括各种具体的实施例，以及在各种具体实施例上所进行的修改。在本具体实施方式中，对这些技术方案通过结合附图的方式进行示例性的阐述，以使得本专利的发明构思、技术特征、技术特征的效果等，通过对这些具体实施方式的描述变得更加明显。但是需要指出的是，本专利的保护范围显然不应当仅限于这些实施例所描述的内容，而是可以通过在本专利发明构思下的多种方式来实施。

在本具体实施方式的描述中，需要注意以下一些阅读参考，以便于能够准确理解本具体实施方式中文字所表达的含义：