[实用新型]一种阵列基板、显示面板及显示装置

说明书

本实用新型涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，阵列基板包括衬底和位于衬底上的薄膜晶体管，在衬底上设有凹部，所述凹部的侧壁具有垂直于所述衬底表面的形状；在凹部的底面和侧壁覆盖有一层挡光层；在所述挡光层上设置有有源区和位于所述有源区两侧的源/漏区，其中所述有源区和所述源/漏区设置于所述凹槽内；在所述沟道区上形成有栅介质膜；在所述栅介质膜上形成栅电极；在所述栅介质膜以及所述栅电极上覆盖有第二层间绝缘膜；在所述第二层间绝缘膜上设置有源漏金属，所述源漏金属通过所述第二层间绝缘膜上的通孔与所述源/漏区形成电连接。通过在衬底中设置凹部，在凹部中形成挡光层，有效地避免了来自衬底下表面射入的背光对薄膜晶体管的沟道区的影响，减小了器件的漏电流，提高了阵列基板的工作性能，增强了显示装置的显示稳定性。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。

背景技术

随着科技水平的日益发展，市场上涌现出越来越来的电子产品，显示技术的发展也使得电子产品的被广泛应用到生活的中各个角落。液晶显示器以其具有高对比度以及轻、薄、低辐射、体积小而被广泛应用。作为构成显示装置的阵列基板中的薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，简称TFT)是显示器的核心组件，其性能决定显示器的优劣。

在显示装置进行工作时，作为TFT的沟道层的材料往往对光较为敏感，大量的光射入极易使得有源层在器件关断时产生漏电流，尤其是背面入射光，从而严重影响了TFT的工作特性，造成显示装置的画面成像中的诸多问题。

现有技术中，未避免上述技术问题，往往采用的是使用底层挡光膜的方式，如在衬底的上表面上形成一层金属挡光材料，从而避免从器件的底部光的入射对TFT沟道层的影响。然而这种方式并不能遮挡从器件的其他区域入射的光，TFT的性能仍然有待提高。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提出一种阵列基板、显示面板以及显示装置。

本实用新型的阵列基板，包括衬底和位于衬底上的薄膜晶体管，其特征在于，在衬底上设有凹部，所述凹部的侧壁具有垂直于所述衬底表面的形状；在凹部的底面和侧壁覆盖有一层挡光层；在所述挡光层上设置有有源区和位于所述有源区两侧的源/漏区，其中所述有源区和所述源/漏区设置于所述凹槽内；在所述沟道区上形成有栅介质膜；在所述栅介质膜上形成栅电极；在所述栅介质膜以及所述栅电极上覆盖有第二层间绝缘膜；在所述第二层间绝缘膜上设置有源漏金属，所述源漏金属通过所述第二层间绝缘膜上的通孔与所述源/漏区形成电连接。

进一步地，在所述挡光层与所述栅介质膜之间还形成有第一层间绝缘膜，挡光层、第一层间绝缘层和衬底的材料选择为使得挡光层的折射系数小于衬底的折射系数且大于第一层间绝缘层的折射系数。

进一步地，所述第一层间绝缘膜至少全部覆盖所述挡光层。

进一步地，所述栅介质膜整体覆盖于所述凹部、所述源/漏区、所述沟道区以及所述衬底的表面。

进一步地，所述挡光层的材料可以选择硅化钨等导电性材料，亦可以选择添加了遮光性颜料或染料的树脂材料。

进一步地，所述凹部的深度为1μm-5μm，宽度为10-50μm。

进一步地，所述挡光层的厚度为20nm-1000nm。

进一步地，所述有源区的材料为多晶硅、金属氧化物半导体或者有机半导体材料。

本实用新型还提供了一种显示面板，包括前述任一项所述的技术方案的阵列基板。

本实用新型还提供了一种显示装置，包括前述的技术方案的显示面板。