[实用新型]一种引线框架的加热机构有效
| 申请号: | 202020960024.2 | 申请日: | 2020-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN212136395U | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
| 发明(设计)人: | 王岩 | 申请(专利权)人: | 苏州密卡特诺精密机械有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/48 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 殷増浩 |
| 地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 引线 框架 加热 机构 | ||
本实用新型涉及一种引线框架的加热机构,其包括加热装置、位于所述加热装置上方与引线框架接触并供批量的引线框架逐步通过的支撑平面、位于所述支撑平面与所述加热装置之间的传热体,所述传热体由且仅由一块金属导热块构成,所述金属导热块的上表面构成所述支撑平面,所述金属导热块的下表面与所述加热装置贴合对接;本实用新型的方案能够保证为引线框架产品提供极佳的支撑平面度,确保引线框架的焊接作业顺利进行。本实用新型的方案能够保证引线框架产品受热时,宽幅范围内温度差在±2度以内,满足实际需求,为提供优质产品提供前提基础。
技术领域
本实用新型属于半导体封装制造领域,具体涉及一种引线框架的加热机构。
背景技术
在半导体封装制造领域,半导体产品封装过程中,引线框架的加热焊接环节,作业要求宽幅范围内,引线框架产品的点与点之间的温度差在±2度范围内,引线框架通过流水线从加热装置的上方逐个通过从而逐个被加热,现有技术中的加热机构,包括位于底部的加装装置、设于加热平台装置上金属材质的金属导热台(金属导热台通常采用硬度较高的热处理钢材,以便长期与产品接触的情况下能够避免磨损),加热装置将热量传递至金属导热台上,产品从金属导热台上通过并与金属导热台接触受热,达到逐个加热的目的,为提高热量传递效率,在金属导热台的底部会嵌入金属导热材料(通常为紫铜块),然而目前引线框架的原始宽度逐渐向越来越宽的方向发展,采用传统的加热方式,只能保证产品宽幅范围内温度差在±5度以内,已经无法满足作业要求;此外,采用金属导热台与加热块组装的方式传热,在加工工序上较为复杂,例如,金属导热台的台面需要研磨,金属导热台底部的嵌入槽需要研磨,金属加热块两侧也都需要研磨,以便组合成一整体后的金属导热台与加热块,与产品的接触面和与加热装置的接触面都具有较高的平整度;即便在两个部件加工完成之后,不可避免的还需要对二者进行组装固定的工作,整体生产工序较为繁杂,加工制作成本较高;
此外,引线框架在金属导热台接收加热的同时还需要进在金属导热台上进行焊接作业,因此,位于金属导热台上的引线框架必须放置到极为平整的金属导热台台面上,以保证引线框架具有极好的平整度来接收焊接作业,而且,焊接时引线框架需要受到真空系统的吸附(金属导热台上开设有真空吸附孔,抽真空设备为其提供负压吸附力),以便其能够稳定在金属导热台上接手焊接,因此,极好的平整度能够让引线框架与金属导热台台面完全贴合,避免漏气,以便被吸附固定住;因此金属导热台的台面的平整与否,关系着引线框架的流水作业能否顺利进行;然而,由于金属导热台和加热块是采用不同的材料制作,二者的热变形量不一致,最终会导致二者的贴合面逐渐轻微变形,导致金属导热台平面不平整,对引线框架产品的流动、焊接造成阻碍,最终影响到产线作业质量和效率。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种引线框架的加热机构。
为解决上述技术问题,本实用新型采取的技术方案如下:
一种引线框架的加热机构,其包括加热装置、位于所述加热装置上方与引线框架接触并供批量的引线框架逐步通过的支撑平面、位于所述支撑平面与所述加热装置之间的传热体,所述传热体由且仅由一块金属导热块构成,所述金属导热块的上表面构成所述支撑平面,所述金属导热块的下表面与所述加热装置贴合对接。
优选地,所述金属导热块的硬度为HRC50。
优选地,所述支撑平面与所述加热装置之间有且仅设置有所述传热体。
优选地,所述金属导热块由铜合金构成。
优选地,所述金属导热块的导热系数为171W/mK。
优选地,所述金属导热块的上表面的平面度为0.01-0.015mm。
优选地,所述加热装置的上表面设置有卡块,所述金属导热块的底部开设有与所述卡块卡接的卡槽。
由于以上技术方案的实施,本实用新型与现有技术相比具有如下优点:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





