[实用新型]一种双面沉积磁控真空卷绕镀膜设备有效
申请号: | 202020871238.2 | 申请日: | 2020-05-21 |
公开(公告)号: | CN212199409U | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 陈清胜 | 申请(专利权)人: | 四川海格锐特科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C14/35;C23C14/02 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 赖林东 |
地址: | 610100 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 沉积 真空 卷绕 镀膜 设备 | ||
本实用新型涉及磁控镀膜技术领域,公开了一种双面沉积磁控真空卷绕镀膜设备,包括呈真空状态的真空室,真空室内设有用于放卷带材的放卷辊、用于收卷带材的收卷辊和两个间隔分布的主辊,收卷辊和放卷辊之间的带材经换向辊换向后反向缠绕在两主辊上;真空室设有用于对带材进行离子清洗的清洗离子源和多个用于对带材磁控溅射镀膜的磁控靶,磁控靶和清洗离子源围绕主辊分布设置,且清洗离子源位于主辊的带材进膜端。本实用新型解决了现有磁控真空卷绕镀膜机仅可实现单面镀膜处理,双面镀膜时需要进行两次装夹操作,导致现有磁控真空卷绕镀膜机镀膜周期长、效率低的问题。
技术领域
本实用新型涉及磁控镀膜技术领域,具体是指一种双面沉积磁控真空卷绕镀膜设备。
背景技术
磁控溅射真空镀膜是利用真空条件下加上直流电压,两极间的放电现象(称之为直流辉光放电)产生电子,电子在电场的作用下加速迁移与中性原子碰撞而产生正离子,正离子在电场的作用下,加速碰撞设置于阴极的靶材形成溅射,溅射出的靶材原子凝结于镀件(可连续卷绕的带材)表面而形成薄膜的一种方法。
真空镀膜技术一般分为两大类,即物理气相沉积(PVD)技术和化学气相沉积(CVD)技术。
物理气相沉积技术是指在真空条件下,利用各种物理方法,将镀料气化成原子、分子或使其离化为离子,直接沉积到基体表面上的方法。制备硬质反应膜大多以物理气相沉积方法制得,它利用某种物理过程,如物质的热蒸发,或受到离子轰击时物质表面原子的溅射等现象,实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移过程。物理气相沉积技术具有膜/基结合力好、薄膜均匀致密、薄膜厚度可控性好、应用的靶材广泛、溅射范围宽、可沉积厚膜、可制取成分稳定的合金膜和重复性好等优点。特别适用现在刚新起的新材料领域。同时,物理气相沉积技术由于其工艺处理温度可控制在500℃以下,因此可作为最终的处理工艺用于高速钢和硬质合金类的薄膜刀具上。由于采用物理气相沉积工艺可大幅度提高刀具的切削性能,人们在竞相开发高性能、高可靠性设备的同时,也对其应用领域的扩展,尤其是在高速钢、硬质合金和陶瓷类刀具中的应用进行了更加深入的研究。
化学气相沉积技术是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供给基体,借助气相作用或基体表面上的化学反应,在基体上制出金属或化合物薄膜的方法,主要包括常压化学气相沉积、低压化学气相沉积和兼有CVD和PVD两者特点的等离子化学气相沉积等。
常规磁控高真空卷绕镀膜机只能对带材进行单面镀膜处理,要实现双面镀膜,必须得一面镀膜后停止溅射镀膜工序,对真空室放气后翻面重新装夹后再进行第二面镀膜处理,造成已经镀膜处理的一面与空气接触带来污染,而且效率比较低,镀膜周期加长,成本增加且成品率不高。
实用新型内容
基于以上技术问题,本实用新型提供了一种双面沉积磁控真空卷绕镀膜设备,解决了现有磁控真空卷绕镀膜机仅可实现单面镀膜处理,双面镀膜时需要进行两次装夹操作,导致现有磁控真空卷绕镀膜机镀膜周期长、效率低的问题。
为解决以上技术问题,本实用新型采用的技术方案如下:
一种双面沉积磁控真空卷绕镀膜设备,包括呈真空状态的真空室,真空室内设有用于放卷带材的放卷辊、用于收卷带材的收卷辊和两个间隔分布的主辊,收卷辊和放卷辊之间的带材经换向辊换向后反向缠绕在两主辊上;真空室设有用于对带材进行离子清洗的清洗离子源和多个用于对带材磁控溅射镀膜的磁控靶,磁控靶和清洗离子源围绕主辊分布设置,且清洗离子源位于主辊的带材进膜端。
在本实用新型中,在镀膜作业中,带材经放卷辊、主辊到收卷辊,由于收卷辊和放卷辊之间的带材经换向辊换向后反向缠绕在两主辊上,可使得带材其中一面紧贴一个主辊,另一面紧贴另一个主辊。这样在利用磁控靶进行磁控溅射镀膜时,一个主辊外围的磁控靶对带材一面进行镀膜,另一个主辊外围的磁控靶对带材另一面进行镀膜,带材在一次收卷过程中便可完成两面镀膜作业,从而减少了镀膜周期,增加了镀膜效率。此外,清洗离子源在镀膜前分别先对带材表面进行离子清洗,从而增强带材与镀材之间的结合力,提高了镀膜质量和成品率。
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