[实用新型]自举电容充电电路有效
申请号: | 202020796509.2 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN211859934U | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 高红波;黄必亮 | 申请(专利权)人: | 杰华特微电子(杭州)有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 充电 电路 | ||
本实用新型提出一种自举电容充电电路,所述充电电路包括单向导通电路和限流电路,所述单向导通电路和限流电路串联;供电电压通过所述充电电路给自举电容充电,限流电路对自举电容充电电流限流。本实用新型避免自举电容充电电流流过单向导通电路中的体二极管,从而避免体二极管寄生效应带来的影响。
技术领域
本实用新型涉及电力电子领域,特别涉及一种自举电容充电电路。
背景技术
图1示意了现有技术开关电源原理图,供电电压VDD通过两个串联的MOS管给开关电源驱动电路供电;但当同步整流管M1导通时,SW处电压会被拉低到小于零,使得自举电容C0高电位端电压被拉低,从而使得输入端和自举电容C0正极之间的压差很大,导致主开关管M2会有漏电流从其体二极管流过。由于体二极管的寄生效应,漏电流流过体二极管会影响电路性能。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种避免漏电流流过体二极管的自举电容充电电路,用以解决现有技术存在的漏电流流过体二极管而带来的寄生效应的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种自举电容充电电路,包括单向导通电路和限流电路,所述单向导通电路和限流电路串联;供电电压通过所述充电电路给自举电容充电,限流电路对自举电容充电电流限流;
可选的,当开关电源的主功率管关断时,所述限流电路关断,关断时间达到第一时间时,限流电路导通。
可选的,当开关电源的主功率管关断时,所述限流电路关断;当自举电容高电位端电压或者其低电位端电压达到相应阈值时,限流电路导通。
可选的,所述限流电路包括一个开关管,该开关管和所述单向导通电路连接;当开关电源的主功率管关断时,所述开关管关断,关断时间达到第一时间时,所述开关管导通。
可选的,所述单向导通电路包括两个MOS管,所述两个MOS管的体二极管反向串联。
可选的,所述的两个MOS管均为PMOS管。
可选的,所述的两个MOS管均为NMOS管。
可选的,所述的两个MOS管中,一个为NMOS管,另一个为PMOS管。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:本实用新型基于单向导通电路和限流电路,所述单向导通电路和限流电路串联;供电电压通过单向导通电路和限流电路给自举电容充电,限流电路对自举电容充电电流限流。当开关电源的主功率管关断时,所述限流电路关断,关断时间达到第一时间时或者自举电容其中一端的电压达到相应阈值电压时,限流电路导通。本实用新型可避免自举电容充电电流流过单向导通电路中的体二极管,从而避免体二极管寄生效应带来的影响。
附图说明
图1为现有技术开关电源原理图;
图2为本实用新型自举电容充电电路原理图;
图3为本实用新型单向导通电路实时例二原理图;
图4为本实用新型单向导通电路实时例三原理图;
图5为本实用新型单向导通电路实时例四原理图;
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细描述,但本实用新型并不仅仅限于这些实施例。本实用新型涵盖任何在本实用新型的精神和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。
为了使公众对本实用新型有彻底的了解,在以下本实用新型优选实施例中详细说明了具体的细节,而对本领域技术人员来说没有这些细节的描述也可以完全理解本实用新型。
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