[实用新型]一种IGBT结温测量装置有效
申请号: | 202020718234.0 | 申请日: | 2020-05-06 |
公开(公告)号: | CN213364950U | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 徐国卿;王玺年 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 测量 装置 | ||
本实用新型公开了一种IGBT结温测量装置,通过测量IGBT的发射极电流以及关断延迟时间,结合IGBT结温与关断延迟时间、发射极电流的关系,实现IGBT结温的在线检测。本实用新型中关断延迟时间通过测量IGBT的辅助发射极与发射极之间的电压得到,关断延迟时间则由时间数字转换器测量得到。本实用新型克服了现有IGBT结温检测方法的缺点,利用近年来快速发展的时间数字转换技术,将时间信号转换为数字信号,仅需采集发射极寄生电感上的感应电压和发射极电流,具有建模简单,容易测量,精度高等优点。
技术领域
本实用新型涉及一种结温测量装置,应用于电力电子器件性能检测技术领域。
背景技术
近年来,随着社会经济的发展,电能变换技术广泛应用于新能源发电、电力输送、交通运输等领域。作为大功率电力电子变换器中应用最广泛的功率器件,IGBT需要面对更为复杂的工况。系统的高安全性需求进而使得功率器件的可靠性成为研究热点之一,提高IGBT的可靠性对保证大功率电力电子系统的安全运行具有重要意义。研究表明,31%的电力电子变换器失效是由电力电子器件的失效而引起的;其中,60%的电力电子器件失效由过温导致;而且,电力电子器件的结温每升高10℃,器件失效的概率便增大一倍。结温过高会导致多方面的问题。结温较高时,器件的耐压能力下降,容易引起器件过压击穿而失效;结温较高时,器件内部各材料之间热应力增大,容易引起焊层松动和键合线断裂,从而导致器件失效。因此,对IGBT工作过程中的结温进行检测对于提高IGBT可靠性至关重要。
目前,IGBT的结温测量系统主要有三类。
第一类系统采用直接测量的原理,利用IGBT模块内部植入的热电阻、热电偶或者二极管等热敏元件的温度,推测IGBT芯片处的温度。因为芯片和热敏元件处的温度并不完全相同,并且热敏元件的对温度响应时间较长,动态性能较差。
第二类系统是非接触式的,采用热成像技术对IGBT结温进行测量,这种方法能够获得较高的精度,但是需要破坏IGBT的封装结构,具有破坏性,仅适用于实验室测量。
第三类系统利用器件本身的热敏感电参数测量结温。典型的热敏感电参数包括IGBT的饱和压降、IGBT的开通时的电压下降率、IGBT的关断时电流下降率,米勒平台电压的峰值、 IGBT开通栅极电流的峰值、开通延迟时间和关断延迟时间等。基于测量IGBT饱和压降的方法分为大电流注入法和小电流注入法,这两种方法都是在系统停止运行的间隙,向IGBT中注入特定的电流值,根据饱和压降与结温的关系推测结温,不适合在线测量;基于栅极信号的测量或开通延迟时间的IGBT结温测量系统,导致测量结果的灵敏度很低,准确性差。研究表明,IGBT的关断延迟时间与结温之间的关系最为线性,灵敏度也最高。
现存的提取IGBT关断延迟时间的方法,采集IGBT栅极电压和集射极电压信号,分别与阈值做比较,得到关断延迟的起始和终止点的时刻。这种方法检测量多,外加电路需要极高的带宽。此外离线标定IGBT关断延迟时间与集电极电流关系时,需要在特定的集电极电流下,测定结温与关断延迟时间的线性关系。
本实用新型的目的在于克服现有IGBT结温检测方法的缺点,对IGBT关断延迟时间与结温的关系进行线性化处理,建立其斜率与截距关于IGBT正向导通电流的函数模型。并利用近年来快速发展的时间数字转换技术,将时间信号转换为数字信号。该方法仅需采集发射极寄生电感上的感应电压和集电极电流,具有建模简单,容易测量,精度高等优点。
实用新型内容
为了解决现有技术问题,本实用新型的目的在于克服已有技术存在的不足,提供一种 IGBT结温测量装置,利用IGBT发射极寄生电感上的感应电压提取IGBT的关断延迟时间,根据IGBT关断延迟时间和IGBT的集电极电流的关系,在线测量IGBT结温。
为达到上述发明创造目的,本实用新型采用下述技术方案:
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