[实用新型]薄膜电光调制器芯片及调制器

权利要求书

1.一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，包括：基底晶片、粘接层以及薄膜基板、光学波导、金属电极，

所述薄膜基板放置于基底晶片的上方，所述粘接层放置于所述基底晶片和薄膜基板之间，所述金属电极放置于薄膜基板的上表面，其中，所述光学波导形成于薄膜基板中并放置于薄膜基板的底部。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，所述光学波导为离子高温扩散波导。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，所述光学波导为钛扩散波导、锌扩散波导或氧化锌扩散波导。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，所述光学波导和金属电极采用如下四种结构之一：

第一种：所述光学波导为直条状的波导结构，所述金属电极包括有金属电极分支一和金属电极分支二，构成的是集总电极结构，电场分布于金属电极分支之间，对光学波导中的光波进行调制；

第二种：所述光学波导为马赫-曾德尔干涉仪状的波导结构，金属电极包括有金属电极分支一和金属电极分支二，构成的是推挽式的集总电极结构，电场分布于金属电极分支之间，对光学波导中的光波进行调制；

第三种：所述光学波导为直条状的波导结构，金属电极包括有信号电极和接地电极，构成的是行波电极结构，所述信号电极和接地电极的构成方式为非对称微带线结构或共面波导结构；

第四种：所述光学波导为马赫-曾德尔干涉仪状的波导结构，金属电极包括有信号电极和接地电极，构成的是行波电极结构，且信号电极和接地电极的构成方式为推挽式的共面波导结构。

5.根据权利要求4所述的一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，在第一种和第二种金属电极结构中，金属电极分支一和金属电极分支二之间的间距为3μm～20μm。

6.根据权利要求4所述的一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，在第三种和第四种金属电极结构中，信号电极的宽度为3μm～100μm，与接地电极之间的间距为3μm～50μm。

7.根据权利要求4所述的一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，所述基底晶片为采用铌酸锂、钽酸锂或硅、石英、蓝宝石，厚度在0.2mm至2mm。

8.根据权利要求4所述的一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，所述薄膜基板的晶体切向为X切，厚度不大于20μm。

9.根据权利要求4所述的一种薄膜电光调制器芯片，其特征在于，所述粘接层采用氧化硅、氧化镁或氧化钽、氧化钛、氮化硅、苯并环丁烯，厚度为0.1μm～5μm。

10.一种薄膜电光调制器，其特征在于，包括如权利要求4所述的一种薄膜电光调制器芯片。