[实用新型]光激发可控硅开关

权利要求书

1.一种光激发可控硅开关，其特征在于，该可控硅开关设有硅衬底，在所述硅衬底上设有至少一个晶闸管、至少一个通过产生电磁辐射触发晶闸管开启的硅二极管及至少一个可将晶闸管与硅二极管之间物理和电隔离的沟槽，所述硅二极管设于所述晶闸管内部或侧部。

2.如权利要求1所述的光激发可控硅开关，其特征在于，所述晶闸管设有第一P型区、第一N型区、第二P型区及第二N型区，所述第一P型区为阳极，其设有阳极焊点，所述第二N型区为阴极，其设有阴极焊点。

3.如权利要求2所述的光激发可控硅开关，其特征在于，所述晶闸管的第一P型区包括水平部分及由水平部分沉降而注入和扩散形成的垂直部分，其垂直部分端部设有所述阳极焊点，所述第一N型区包括设于第一P型区水平部分上表面的水平端及由水平端沉降形成的垂直端，所述第二P型区由第一N型区外延和扩散形成，所述第二N型区设于第二P型区内，其端部设有所述阴极焊点。

4.如权利要求3所述的光激发可控硅开关，其特征在于，所述晶闸管设有一个或多个第一阴极短路，该第一阴极短路设于第二N型区内，并与阴极焊点连接。

5.如权利要求3所述的光激发可控硅开关，其特征在于，所述晶闸管设有放大栅极，所述放大栅极包括设于第二P型区内的第二阴极短路、第三N型区及设于第二P型区上的放大栅极焊点，所述第二阴极短路及第三N型区分别与放大栅极焊点连接。

6.如权利要求3所述的光激发可控硅开关，其特征在于，所述晶闸管设有附加晶闸管元件，所述附加晶闸管元件包括设于第二P型区内的第四N型区及与第四N型区连接的焊点。

7.如权利要求1所述的光激发可控硅开关，其特征在于，所述硅二极管包括第五N型区、第三P型区及第六N+型区，所述第五N型区设于硅衬底上表面，所述第三P型区设于第五N型区内，所述第六N+型区设于第五N型区的内部或侧部。

8.如权利要求1所述的光激发可控硅开关，其特征在于，所述沟槽包括氧化物层、氮化物层或多晶硅层中的一种或多种的组合。

9.如权利要求8所述的光激发可控硅开关，其特征在于，所述沟槽的内壁设有电介质，所述沟槽的开口填充有掺杂或未掺杂的多晶硅。

10.如权利要求1所述的光激发可控硅开关，其特征在于，所述晶闸管替换为可控硅整流器、反向阻断三极晶闸管、反向导通晶闸管、肖特基二极管、栅极关闭设备或光激发可控硅整流器，所述硅二极管替换为多晶硅管或垂直腔面发射激光器。