[实用新型]VDMOS器件条形元胞结构

说明书

本实用新型公开了一种VDMOS器件条形元胞结构，包括：第一导电类型衬底；VDMOS器件条形元胞结构还包括：位于第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层和位于第一导电类型外延层上的栅极结构；位于第一导电类型外延层内的第二导电类型体区；位于第二导电类型体区内的沿着第二导电类型体区间隔设置的多个回形的第一导电类型源区。VDMOS器件条形元胞结构的布局合理，减少了位于第二导电类型体区内的第一导电类型源区的面积，能够避免产生寄生NPN管效应，有效提升了EAS能力。

技术领域

本实用新型涉及一种VDMOS器件条形元胞结构。

背景技术

VDMOS器件条形元胞结构主要应用于VDMOS器件生产及应用上。目前VDMOS产品在应用中易出现寄生NPN管的问题影响EAS特性。目前VDMOS产品大部分采用条形元胞与方形元胞排版，相比较来说，条形元胞排版简单方便，寄生NPN管效应弱。但随着应用条件加严，对EAS能力要求越来越高，常规的条形元胞设计已经跟不上应用的发展，目前通用的条形元胞的设计存在全局性的寄生NPN管效应，直接影响产品EAS能力。N+的长度与宽度以及整个N+面积对寄生NPN管有决定性的影响，目前常规条形元胞排版无法改变整个N+面积与布局，导致EAS能力无法得到有效提升。

实用新型内容

本实用新型提供了一种VDMOS器件条形元胞结构，采用如下的技术方案：

一种VDMOS器件条形元胞结构，包括：第一导电类型衬底；VDMOS器件条形元胞结构还包括：位于第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层和位于第一导电类型外延层上的栅极结构；位于第一导电类型外延层内的第二导电类型体区；位于第二导电类型体区内的沿着第二导电类型体区间隔设置的多个回形的第一导电类型源区。

进一步地，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

进一步地，第一导电类型衬底为第一浓度N型衬底；第一导电类型外延层为第二浓度N型外延层；第一导电类型源区为第一浓度N型源区。

进一步地，第一导电类型衬底为N+型衬底；第一导电类型外延层为N-型外延层；第一导电类型源区为N+型源区。

进一步地，栅极结构包含栅氧化层和位于栅氧化层上的多晶硅层。

进一步地，栅氧化层为二氧化硅层。

本实用新型的有益之处在于提供的VDMOS器件条形元胞结构通过在第二导电类型体区内间隔设置多个回形的第一导电类型源区，使每个回形的第一导电类型源区分别与第二导电类型体区共同形成PN结。通过这样的合理布局，减少了位于第二导电类型体区内的第一导电类型源区的面积，避免了产生寄生NPN管效应的问题，并有效提升了EAS能力。

附图说明

图1是本实用新型的一种VDMOS器件条形元胞结构的示意图；

图2是图1中的VDMOS器件条形元胞结构沿CC线剖面示意图。

VDMOS器件条形元胞结构10，第一导电类型衬底11，第一导电类型外延层12，栅极结构13，栅氧化层131，多晶硅层132，第二导电类型体区14，第一导电类型源区15。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型作具体的介绍。

如图1至图2所示，一种VDMOS器件条形元胞结构10，包括：第一导电类型衬底11；VDMOS器件条形元胞结构10还包括：位于第一导电类型衬底11上的第一导电类型外延层12和位于第一导电类型外延层12上的栅极结构13；位于第一导电类型外延层12内的第二导电类型体区14；位于第二导电类型体区14内的沿着第二导电类型体区14间隔设置的多个回形的第一导电类型源区15。