[实用新型]一种NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构

权利要求书

1.一种NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构，其特征在于，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的表面形成有SiON氧化层，所述SiON氧化层的表面从左至右形成有发射区、基区和集电区，所述发射区、基区和集电区三个区域的厚度相同而宽度不同，所述发射区和集电区区域里淀积有N型掺杂GaN层，所述基区区域里生长有P型掺杂Si_1-rGe_r层且0r1，所述Si_1-rGe_r层包括从左至右形成的Si_1-r1Ge_r1薄层1、Si_1-r2Ge_r1薄层2、……、Si_1-rnGe_rn薄层n，该n个薄层中每一层的宽度相等且Ge组分从左至右由小到大渐变，所述发射区、基区和集电区的表面淀积有隔离氧化层，所述隔离氧化层在下方发射区、基区和集电区对应处形成有发射区、基区和集电区电极窗口，每个电极窗口的宽度小于下方对应发射区、基区和集电区宽度，所述发射区、基区和集电区电极窗口内生长金属硅化物形成电极引出层。

2.根据权利要求1所述的NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构，其特征在于，所述蓝宝石衬底的厚度为420～1300μm。

3.根据权利要求1所述的NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构，其特征在于，所述SiON氧化层的厚度为5nm。

4.根据权利要求1所述的NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构，其特征在于，所述发射区、基区和集电区的厚度为20～50nm，所述发射区和集电区的宽度为100～200nm，所述基区的宽度为20～30nm。

5.根据权利要求1所述的NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构，其特征在于，所述Si_1-rGe_r层包括有Si_1-r1Ge_r1薄层1、Si_1-r2Ge_r1薄层2、Si_1-r3Ge_r3薄层3、Si_1-r4Ge_r4薄层4和Si_1-r5Ge_r5薄层5共五个薄层，所述基区的宽度为25nm，每个薄层的宽度为5nm，r₁＝0.1，r₂＝0.15，r₃＝0.2，r₄＝0.25，r₅＝0.3。

6.根据权利要求1所述的NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构，其特征在于，所述隔离氧化层为SiO₂氧化层。