[实用新型]玻璃晶圆的吸附装置有效
| 申请号: | 202020048635.X | 申请日: | 2020-01-09 |
| 公开(公告)号: | CN211350609U | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
| 发明(设计)人: | 雅各布·基布斯加德;彼得·克罗内·尼尔森;西蒙·博·延森;米加·索博尔;唐嘉乐;托马斯·艾博 | 申请(专利权)人: | 瑞声通讯科技(常州)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/56 |
| 代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 舒剑晖 |
| 地址: | 213000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 玻璃 吸附 装置 | ||
本实用新型公开了一种玻璃晶圆的吸附装置,包括吸附头,所述吸附头具有吸附腔和与玻璃晶圆直接接触的吸附口,所述吸附头上还设置有一块状结构,所述块状结构内形成有与所述吸附腔连通的气道,所述吸附腔内密布有若干用于支撑晶圆片的支柱,本实用新型的吸附装置能够在玻璃晶圆还未完全冷却的情况下,从模具上将其吸取出来,从而避免玻璃晶圆成型过程中的诸多不利影响并缩短生产时间提高生产效率,另外,还能够作为晶圆片的转运工具,将未模制的晶片运送到模具上进行模制。
【技术领域】
本实用新型属于玻璃晶圆制造领域,具有涉及一种玻璃晶圆的吸附装置。
【背景技术】
在晶圆级的模制过程中,玻璃晶圆于高温中成型,其成型温度高于玻璃晶圆材料的玻化温度,模压后,晶圆产品将在模具上逐渐冷却直至最后成型,其成型过程仅受重力影响。
由于整个成型过程要经历较宽的温度范围、模具的高压以及材料的膨胀系数不同,均有可能发生不利影响,从而最终导致产品质量不合格。
具体来讲的存在以下不利影响:
1、受热不均匀的影响:在模制成型过程中的最后阶段,晶圆片与模具的表面可能会存在点接触或者单面接触的情况,这将导致受热不均匀以及玻璃的不对称收缩,在这种不受控的情况下,将很有可能导致产品的成型失败,比如变形或者出现裂纹。
2、表面附着力的影响:在成型过程中,产品对模具表面有很强的附着力,在冷却过程中,这种附着力会逐渐降低,如果让产品在模具上充分冷却,并完全释放将耗费大量的时间,有时,由于附着力太强,产品极有可能破裂。
3、热膨胀的影响:某些具有高大角度特征的镜片,在晶圆收缩的过程中,随着温度的降低,由于玻璃比模具收缩的更多,因此,模具上的镜片特征将会在水平方向上阻止玻璃自由收缩,从而导致玻璃晶圆破裂,尤其是对于大直径晶圆,膨胀系数差异更大。
4、生产时间的影响:由于冷却所需要的时间在整个成型过程中相对较长,因此,如果能减少在模具上冷却的时间将能够减少整个生产时间。
【实用新型内容】
本实用新型的目的在于提供一种玻璃晶圆的吸附装置,其能够作为转运工具将未模制的晶片运送到模具上,并且能够在玻璃晶圆还未完全冷却的情况下,从模具上将其吸取出来从而脱离模具。
本实用新型的玻璃晶圆的吸附装置,包括吸附头,所述吸附头具有吸附腔和与玻璃晶圆直接接触的吸附口,所述吸附头上还设置有一块状结构,所述块状结构内形成有与所述吸附腔连通的气道,所述吸附腔内密布有若干用于支撑所述玻璃晶圆的支柱。
进一步,本实用新型的吸附装置,其吸附头为圆形吸附头,所述吸附口为圆形吸附口。
进一步,本实用新型的吸附装置,其吸附头的直径略大于所述玻璃晶圆的直径,所述吸附口的直径略小于所述玻璃晶圆的直径,以使所述吸附头能够完全覆盖住所述玻璃晶圆,同时所述玻璃晶圆也能够完全覆盖住所述吸附口。
进一步,本实用新型的吸附装置,其支柱为方柱并均匀分布在所述吸附腔内。
进一步,本实用新型的吸附装置,其支柱从所述吸附腔的底部延伸至所述吸附口,并与所述吸附口平齐。
进一步,本实用新型的吸附装置,其采用低导热与低膨胀系数材料制成,以避免对所述玻璃晶圆冷却的影响。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型的吸附装置作为玻璃晶圆的转运工具能够将未模制的晶片运送到模具上进行模压成型,并且在玻璃晶圆还未完全冷却成型的情况下,能够将晶圆片从模具上吸走,这样就大大减少了冷却过程中玻璃晶圆与模具表面的接触,玻璃晶圆的冷却基本上是通过自然的热辐射实现的,这样,玻璃晶圆以均匀、受控的方式冷却。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





