[实用新型]玻璃晶圆的吸附装置有效
| 申请号： | 202020048635.X | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN211350609U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 雅各布·基布斯加德;彼得·克罗内·尼尔森;西蒙·博·延森;米加·索博尔;唐嘉乐;托马斯·艾博 | 申请（专利权）人： | 瑞声通讯科技（常州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/56 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 舒剑晖 |
| 地址： | 213000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 玻璃 吸附 装置 | ||
【权利要求书】：
1.玻璃晶圆的吸附装置，其特征在于：包括吸附头，所述吸附头具有吸附腔和与玻璃晶圆直接接触的吸附口，所述吸附头上还设置有一块状结构，所述块状结构内形成有与所述吸附腔连通的气道，所述吸附腔内密布有若干用于支撑所述玻璃晶圆的支柱。
2.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于：所述吸附头为圆形吸附头，所述吸附口为圆形吸附口。
3.根据权利要求2所述的吸附装置，其特征在于：所述吸附头的直径略大于所述玻璃晶圆的直径，所述吸附口的直径略小于所述玻璃晶圆的直径，以使所述吸附头能够完全覆盖住所述玻璃晶圆，同时所述玻璃晶圆也能够完全覆盖住所述吸附口。
4.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于：所述支柱为方柱并均匀分布在所述吸附腔内。
5.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于：所述支柱从所述吸附腔的底部延伸至所述吸附口，并与所述吸附口平齐。
6.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于：所述吸附装置采用低导热与低膨胀系数材料制成，以避免对所述玻璃晶圆冷却的影响。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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