[发明专利]一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制备方法

说明书

本申请适用于显示技术领域，提供了一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制备方法，通过在第一道光罩制程中，制备包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层的源漏极层及光刻胶层；和/或，在第二道光罩制程中，将第二次湿刻的持续时间缩短为85S～95S；和/或，在第二道光罩制程中，将第二次干刻的持续时间延长为40S～50S，可以有效减小接触层的拖尾大小、增大栅极层和漏源极层之间的通道长度和沟道区域的长度，使薄膜晶体管的关态电流正常，提高基于该薄膜晶体管实现的液晶显示面板的可靠性降低，降低产生画面异常的概率。

技术领域

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制备方法。

背景技术

随着显示技术的不断发展，各种类型的显示面板层出不穷，为人们的日常生产和生活带来了极大便利。液晶显示面板是目前应用较为广泛的一种显示面板，其通常采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)对液晶像素进行驱动。在薄膜晶体管的制备过程中，源漏极层下方的接触层会在沟道区域内形成非晶硅(a-Si)尾纤，导致薄膜晶体管的关态电流(Ioff)增大，从而导致基于该薄膜晶体管实现的液晶显示面板的可靠性(Reliability，RA)降低，容易产生画面异常现象。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制备方法，以解决在薄膜晶体管的制备过程中，源漏极层下方的接触层会在沟道区域内形成非晶硅尾纤，导致薄膜晶体管的关态电流增大，从而导致基于该薄膜晶体管实现的液晶显示面板的可靠性降低，容易产生画面异常现象的问题。

本申请实施例的第一方面提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在第一道光罩制程中，在玻璃基板层制备栅极层并图形化栅极层；在栅极层远离玻璃基板层的一面制备栅极绝缘层、有源层、接触层、源漏极层及光刻胶层；

在第二道光罩制程中，对光刻胶层进行曝光显影；进行第一次湿刻，图形化源漏极层，形成源漏极区域和有源区域的金属导线结构；进行第一次干刻，图形化有源层和接触层，形成有源层和接触层的岛状结构；进行氧气灰化，降低光刻胶层的厚度以露出沟道区域的源漏极层；进行第二次湿刻，图形化漏源极层；进行第二次干刻，刻蚀有源层和接触层，形成薄膜晶体管结构；

其中，源漏极层包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层；

和/或，第二次湿刻的持续时间为85S～95S；

和/或，第二次干刻的持续时间为40S～50S。

在一个实施例中，第二次干刻后，第二次干刻后，位于漏源极层的边缘的接触层的拖尾大小为0.15μm～0.35μm、栅极层和漏源极层之间的通道长度为4.2μm～5.2μm、沟道区域的长度大于3.4μm。

在一个实施例中，接触层的初始厚度为3900A。

在一个实施例中，漏源极层的初始厚度为4350A，曝光显影后的光刻胶层的尺寸为5.0μm～5.3μm，第一次湿刻和第二次湿刻的总持续时间为145S～150S，第二次湿刻后的漏源极层的厚度为3800A。

在一个实施例中，薄膜晶体管的制备方法，还包括：

在第三道光罩制程中，在源漏极层远离接触层的一面制备钝化层并图形化钝化层；

在第四道光罩制程中，在钝化层远离源漏极层的一面制备透明电极层并图形化透明电极层。

本申请实施例的第二方面提供一种薄膜晶体管，基于本申请实施例的第一方面提供的薄膜晶体管的制备方法制备，包括依次设置的玻璃基板层、栅极层、栅极绝缘层、有源层、接触层及源漏极层；

其中，源漏极层包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层。