[发明专利]电子阻挡层、发光器件及其制备方法和显示装置

说明书

本发明涉及一种电子阻挡层，其包括：依次层叠设置于多量子发光层上的第一阻挡层、第二阻挡层以及第三阻挡层，其中，所述第一阻挡层的材料为氮化铟铝，所述第二阻挡层的材料为氮化铝镓；所述第三阻挡层包括至少一层第一掺杂层和至少一层第二掺杂层，所述至少一层第一掺杂层和所述至少一层第二掺杂层交替层叠设置，所述第三阻挡层设置于所述第二阻挡层上，所述第二掺杂层设置于所述第一掺杂层上。从而实现增加导带中电子的有效势垒高度和降低价带中空穴的有效势垒高度，并有效的减小大电流注入情况下的效率衰减问题和漏电问题。本发明还提供了一种发光器件、一种发光器件的制备方法和一种具有该发光器件的显示装置。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种电子阻挡层、一种具有该电子阻挡层的发光器件、一种发光器件的制备方法以及具有该发光器件的显示装置。

背景技术

目前，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)因其高亮度、低热量、长寿命、环保等优点而受到广泛关注。而且，随着LED制造技术日趋成熟，LED不断向高亮度、大功率、以及低损耗的方向发展，这就要求LED有大的注入电流。

氮化镓(GaN)基LED因其发光波长涵盖了整个可见光波段，而越来越受到人们关注。然而，GaN基LED由于极化效应随着注入电流的增加会导致效率衰减(Efficiencydroop)和漏电问题。因此，如何解决由于极化效应而导致LED的效率衰减和漏电是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种电子阻挡层、一种具有该电子阻挡层的发光器件、一种发光器件的制备方法以及具有该发光器件的显示装置，其旨在解决现有技术中存在的由于极化效应而导致LED的效率衰减和漏电是亟需解决的问题。

一种电子阻挡层，其包括：依次层叠设置的第一阻挡层、第二阻挡层以及第三阻挡层，其中：所述第一阻挡层的材料为氮化铟铝，所述第二阻挡层的材料为氮化铝镓；所述第三阻挡层包括至少一层第一掺杂层和至少一层第二掺杂层，所述至少一层第一掺杂层和所述至少一层第二掺杂层交替层叠设置，所述第三阻挡层设置于所述第二阻挡层上，所述第二掺杂层设置于所述第一掺杂层上。

上述电子阻挡层中，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层与所述第三阻挡层的共同作用能够实现增加导带中电子的有效势垒高度和降低价带中空穴的有效势垒高度，从而有效的减小大电流注入情况下的效率衰减问题和漏电问题。

可选地，所述第一阻挡层中铟的组分为10％～20％，所述第一阻挡层的生长厚度为1纳米到5纳米。

可选地，所述第一阻挡层中铟的组分为18％。

可选地，所述第二阻挡层的生长温度高于所述第一阻挡层的生长温度，所述第三阻挡层的生长温度高于所述第二阻挡层的生长温度。制备过程中，第二阻挡层的温度高于第一阻挡层且低于第三阻挡层的生长温度，是为了保护第一阻挡层中In不会因为温度过高蒸发，为了提升晶体质量，所以需要较高的温度生长第三阻挡层。

可选地，所述第三阻挡层包括至少两层第一掺杂层和至少两层第二掺杂层，所述至少两层第一掺杂层和所述至少两层第二掺杂层交替层叠设置，其中，所述第一掺杂层为高温生长的镁掺杂的氮化镓层，所述第一掺杂层的生长厚度为5纳米到10纳米，所述第二掺杂层为高温生长的镁掺杂的氮化铝镓，所述第二掺杂层的生长厚度为3纳米到10纳米，所述第二掺杂层中铝的组分为20％～30％。基于此，高温生长的第一掺杂层和高温生长的第二掺杂层交替生长可以改善此层的晶体质量，第二掺杂层适当的厚度可以实现高铝掺杂，结合第一掺杂层能够实现导带中电子有效势垒高度的提升和价带中空穴有效势垒高度的降低，达到减小漏电和增加光输出的目的。

可选地，所述第二掺杂层中铝的组分为25％。