[发明专利]显示面板、显示面板的制造方法、及显示装置

说明书

本发明公开了一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括基板，基板上形成有TFT，所述TFT包括栅极、源极、以及漏极；所述漏极为透明导电层。本发明还公开了一种显示面板的制造方法，通过透明导电层形成TFT的漏极。本发明还公开了包括上述显示面板的一种显示装置。本发明通过改变设计结构，降低TFT器件尺寸，从而实现了边框的降低和像素开口率的提升。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板、显示面板的制造方法、及显示装置。

背景技术

随着面板显示行业发展， LCD(Liquid Crystal Display）要求越来越高，边框也要求越来越窄。但现有技术，因受限于设备及制程精度，边框无法进一步减小，开口率无法进一步增加。

发明内容

针对现有技术的不足，本申请提供一种显示面板、显示面板的制造方法、及显示装置。可实现显示面板的高开口率和超窄边框。

本申请提供了一种显示面板的制造方法，包括：

提供一基板，在该基板上沉积第一金属层，形成TFT的栅极；

在第一金属层上沉积第一绝缘层；

在第一绝缘层上沉积形成TFT的导电沟道；

在导电沟道上沉积第二金属层，形成TFT的源极；

在导电沟道上沉积透明导电层，形成TFT的漏极。

作为进一步优选的方案，所述导电沟道上沉积的透明导电层同时形成像素电极。

作为进一步优选的方案，其还包括以下步骤：

在第二金属层、透明导电层上沉积第二绝缘层；

在第二绝缘层上沉积形成公共电极层。

作为进一步优选的方案，所述基板上还形成有GOA电路。

本申请还提供了一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括基板，基板上形成有TFT，所述TFT包括栅极、源极、以及漏极；其特征在于，所述漏极为透明导电层。

作为进一步优选的方案，所述基板上以形成有多个像素单元；所述像素单元包括像素电极和所述TFT；所述漏极与像素电极为一体结构。

作为进一步优选的方案，所述基板上具有TFT的栅极，所述TFT的栅极上层叠有第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成TFT的导电沟道；

所述导电沟道上层叠有第二金属层，所述第二金属层形成TFT的源极，

所述导电沟道上还层叠有所述透明导电层，所述透明导电层形成TFT的漏极以及像素电极。

作为进一步优选的方案，所述TFT的栅极为形成在基板上的第一金属层；所述透明导电层和第二金属层上还层叠有第二绝缘层，所述第二绝缘层上设置有公共电极层。

作为进一步优选的方案，其还包括GOA电路。

本申请还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明是在不增加制程及MASK的情况下，通过改变设计结构，降低TFT器件尺寸，从而实现了边框的降低和像素开口率的提升。

本发明的TFT器件中漏极为透明导电层，TFT器件的漏极与源极两者的电极间距可以做到很小，甚至近乎相切，当TFT器件的W/L（宽长比）保持不变的情况下，TFT器件尺寸可以大面积减小，提高了显示面板的开口率；同时, 漏极采用透明导电层；避免了现有的TFT器件其漏极电极采用金属，由于金属不透光导致的开口缩小。