[发明专利]一种钝化设备及钝化方法有效
申请号: | 202011626771.3 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112864274B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 林佳继;庞爱锁;朱太荣;林依婷 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 518118 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钝化 设备 方法 | ||
本发明公开了一种钝化设备,包括隔离箱、位于隔离箱的钝化箱以及位于钝化箱内部的载具装置以及加热装置,载具装置承载切片电池,加热装置控制钝化箱内的温度,载具装置与加热装置间设有喷淋装置,喷淋装置喷淋氧气或对切片电池的断面喷淋钝化气体,还提供一种钝化方法,该方法通过所述的钝化设备对切片电池的断面进行钝化处理,钝化处理包括将钝化气体与切片电池的断面接触,本发明采用喷淋装置对切片电池的断面喷淋臭氧进行钝化处理的技术方案,操作简单,可形成产业化,规模化的发展,本发明采用喷淋装置的喷淋管将钝化气体喷淋到切片电池的断面,保证钝化气体均匀喷淋,保证钝化效果。
技术领域
本发明属于半导体制造及太阳能光伏电池制造领域,尤其涉光伏电池片切割后处理工序。
背景技术
近年来,光伏技术发展迅速、应用范围广,市场从原来仅重视高功率,日益转变为兼具高功率、在任何安装条件下的高发电量、低衰减和低成本的综合要求,从而进一步降低度电成本,所以如何降低度电成本成为目前行业最核心的问题,而作为光伏系统端发电的核心部件-光伏组件是重中之重,组件高功率是促成“平价上网”最直接、最有利的技术通道,提升组件功率主要从有双面、切半、多主栅、叠瓦等技术。
时至今日,切半已证实是可以与多种提升组件功率技术兼容,且已经取得较好的成绩,半片电池具有的优势:整个组件的电流损失减小到原来的1/4,输出功率比同版型整片电池组件高约5~10W;可有效降低组件的热斑效应;半片组件自身温度比常规整片组件温度低;半片电池组件满足1500V系统电压设计要求,可降低系统端成本约10%;有效减少因遮挡造成的发电量损失;降低光致衰减等等。
但半片组件存在的一个小缺陷是电池片切半后,硅片断面由于损伤污染导致电池片的填充因子FF和短路电流Isc下降,从而降低了电池片的效率,降低了组件效率,降低了半片组件的提升效果,本发明有效地解决了这种问题。
发明内容
本发明为了克服现有技术的不足,提供一种钝化设备及钝化方法。
为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:一种钝化设备,其特征在于:包括隔离箱、位于隔离箱的钝化箱以及位于钝化箱内部的载具装置以及加热装置,载具装置承载切片电池,加热装置控制钝化箱内的温度,载具装置与加热装置间设有喷淋装置,喷淋装置喷淋氧气或对切片电池的断面喷淋钝化气体,还包括紫外灯管,紫外灯管的紫外线将喷淋装置喷淋通入的氧气反应成臭氧,臭氧与切片电池的断面接触进行钝化处理,所述隔离箱包括隔离主体和隔离盖板,隔离主体包括隔离腔,钝化箱位于隔离腔内,隔离主体的上端面设置有密封圈,隔离主体上设置有通气管和热电偶,通气管与隔离腔连通,通气管通入保护气或压缩空气吹扫隔离腔,热电偶延伸至钝化箱内,测量钝化箱内的温度。进一步的;所述钝化箱还包括盖板和用于装载载具装置和加热装置的装载结构,装载结构包括装载底板、装载连板、装载隔板以及两组装载侧板,两组装载侧板对称设置且与装载底板和装载连板固设连接,装载隔板与两组装载侧板固设连接,通过装载隔板,装载结构形成装载载具装置的载具腔以及装载加热装置的加热腔,装载隔板上固设有反应窗,加热装置与载具装置通过反应窗连通,钝化气体通过反应窗流通至载具腔内对切片电池的断面进行钝化处理,装载连板连接有弥散件,弥散件上固设有多组弥散孔,装载连板上连通设置有进气管,进气管贯穿隔离主体并向外延伸,进气管向载具装置和载具腔通氮气,弥散件的弥散孔控制进气管通入氮气的弥散均匀性。
进一步的;所述载具装置包括载具后板、载具左侧板、载具右侧板、载具底板以及载具上板,载具底板用于支撑切片电池,切片电池的断面朝向反应窗,载具后板、载具左侧板以及载具右侧板均安装在载具底板上,载具左侧板与载具右侧板对称分布,载具后板、载具左侧板、载具右侧板以及载具底板形成承载切片电池的承载腔,载具上板和载具底板限制切片电池在竖直方向的移动,载具左侧板和载具右侧板限制切片电池在水平方向移动。
进一步的;所述加热装置包括壳体和加热管,加热管采用红外灯管或电炉丝,加热管通过固定杆固定在壳体上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的