[发明专利]一种集成组件及制备方法

权利要求书

1.一种集成组件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底，所述衬底具有相背设置的第一面和第二面；

在所述衬底的第一面上制备滤波谐振器；

在所述衬底的第二面上构成功率放大器。

2.如权利要求1所述的集成组件的制备方法，其特征在于，当所述谐振器为声表面波谐振器时，在所述衬底的第一面上制备滤波谐振器，包括：

提供第一剥离基板，在所述第一剥离基板上形成压电材料层，所述压电材料层具有相背设置的第一面和第二面，所述第一面为远离所述第一剥离基板的一面；

在所述压电材料层的第一面上形成反射层；

所述衬底的第一面上形成键合层；

通过键合工艺，将所述衬底上的键合层与所述第一剥离基板上的反射层相互贴合；

剥离所述第一剥离基板，在所述压电材料层的第二面上形成叉指电极，使在所述衬底的第一面上形成所述声表面波谐振器。

3.如权利要求2所述的集成组件的制备方法，其特征在于，在所述压电材料层的第二面上形成叉指电极，包括：

在所述压电材料层的第二面上形成图形化的光阻层；

在所述压电材料层的第二面上沉积金属材料层，使所述金属材料层覆盖所述光阻层的顶表面和未被所述光阻层覆盖的压电材料层；

剥离所述光阻层，使保留在所述压电材料层上的金属材料形成所述叉指电极。

4.如权利要求2所述的集成组件的制备方法，其特征在于，提供所述衬底，在所述衬底的第一面上形成键合层，包括：

提供所述衬底，在所述衬底的第一面上形成第一空腔；

在所述衬底的第一面上形成键合层，使所述键合层围绕在所述第一空腔的顶部开口的外周围。

5.如权利要求1所述的集成组件的制备方法，其特征在于，在所述衬底的第二面上构成功率放大器，包括：

提供第二剥离基板，在所述第二剥离基板上形成隔离层；

在所述隔离层远离所述第二剥离基板的一面上制备CMOS单元；

在所述CMOS单元上制备金属导电层；

剥离所述第二剥离基板，将所述隔离层与所述衬底的第二面进行贴合，使在所述衬底的第二面上形成所述功率放大器。

6.如权利要求5所述的集成组件的制备方法，其特征在于，在所述隔离层远离所述第二剥离基板的一面上制备CMOS单元，包括：

在所述隔离层远离所述第二剥离基板的一面上制备栅电极；

在所述隔离层和所述栅电极上沉积绝缘层；

在所述绝缘层上制备沟道半导体层、源电极和漏电极，并在所述源电极和所述漏电极上形成源电极隔离层和漏电极隔离层，形成所述CMOS单元。

7.如权利要求6所述的集成组件的制备方法，其特征在于，在所述CMOS单元上制备金属导电层，形成所述功率放大器，包括：

在所述绝缘层、所述源电极隔离层和所述漏电极隔离层上形成光电层；

在所述光电层上生长一层金属材料，形成所述金属导电层；

在所述金属导电层上沉积形成电极保护层；

对所述电极保护层进行图形化蚀刻，得到所述功率放大器。

8.一种集成组件，其特征在于，所述集成组件包括：

衬底、滤波谐振器和功率放大器；

所述衬底具有相背设置的第一面和第二面，所述滤波谐振器设置在所述衬底的第一面上，所述功率放大器设置在所述衬底的第二面上，使射频信号依次经过所述功率放大器和所述滤波谐振器，得到放大和滤波后的信号。

9.如权利要求8所述的集成组件，其特征在于，所述滤波谐振器包括：声表面波谐振器或薄膜体声波谐振器。