[发明专利]DRD型显示面板和使用其的有机发光显示装置在审
申请号: | 202011566712.1 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN113053962A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 徐亨锡;金永勋 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;李德山 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | drd 显示 面板 使用 有机 发光 显示装置 | ||
本公开涉及DRD型显示面板和有机发光显示装置。显示面板包括:设置在基板上的第一像素至第四像素;通过其发送数据信号至第一和第二像素的第一数据线;通过其发送数据信号至第三和第四像素的第二数据线;通过其发送扫描信号至第一和第三像素的第一栅极线;通过其发送扫描信号至第二和第四像素的第二栅极线;参考电压线,设置在第一与第二数据线之间,用于检测设置在第一像素至第四像素中的OLED的劣化;第一电力线,位于第一数据线的左侧并且向第一和第二像素提供驱动电力;以及第二电力线,位于第二数据线的右侧并且向第一和第二像素提供驱动电力。在驱动电路的左侧和右侧形成有开口,使得参考电压线不叠加在数据线上,从而使开口率最大化。
技术领域
本公开涉及DRD(双倍速率驱动)型显示面板和有机发光显示装置,并且更具体地,涉及使用在驱动电路的左侧和右侧设置有开口的DRD的有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置具有在用于电子注入的阴极与用于空穴注入的阳极之间形成发光层的结构,并且使用以下原理:当在阴极中产生的电子和在阳极中产生的空穴被注入到发光层中时,注入的电子和空穴结合以产生激子,并且所产生的激子从激发态到基态的跃迁引起发光。
这样的有机发光显示装置包括作为开关元件的晶体管。晶体管分为栅电极位于有源层下方的底部栅极结构和栅电极位于有源层上的顶部栅极结构。
这样的有机发光显示装置包括用于驱动栅极线的扫描驱动器和用于驱动数据线的数据驱动器,并且所需的驱动IC的数量随着有机发光显示装置的尺寸和分辨率的增加而增加。
然而,由于与其他元件相比驱动IC非常昂贵,因此最近研究和开发了用于减少驱动IC的数量以降低有机发光显示装置的制造成本的各种方法。在这些方法中,与传统有机发光显示装置相比,双倍速率驱动(DRD)方法将数据线的数量减半的同时将栅极线的数量加倍,从而实现了在将所需的驱动IC的数量减半的同时与传统有机发光显示装置相同的分辨率。
将工作电压提供至两个子像素的数据线叠加在将参考电压提供至每个像素的参考电压线上。这导致了如下问题:由于DRD特性,参考电压信号受到数据信号的影响,从而由于纹波效应使图像显示暗。
发明内容
本公开的实施方式的目的是提供一种可以增加开口率的显示面板和使用该显示面板的有机发光显示装置。
本公开的实施方式的另一目的是提供一种具有参考电压线不叠加在数据线上的结构的显示面板和使用该显示面板的有机发光显示装置。
为了实现这些目的,根据本公开的实施方式的显示面板包括:第一像素至第四像素,其设置在基板上并且包括电容器区域;第一数据线DL1,数据信号通过该第一数据线DL1被发送至第一像素和第二像素;第二数据线DL2,数据信号通过该第二数据线DL2被发送至第三像素和第四像素;第一栅极线GL1,扫描信号通过该第一栅极线GL1被发送至第一像素和第三像素;第二栅极线GL2,扫描信号通过该第二栅极线GL2被发送至第二像素和第四像素;参考电压线Vref,其设置在第一数据线与第二数据线之间,并且用于检测设置在第一像素至第四像素中的有机发光二极管(OLED)的劣化;第一电力线VL1,其位于第一数据线DL1的左侧,并且向第一像素和第二像素提供驱动电力;第二电力线VL2,其位于第二数据线DL2的右侧,并且向第三像素和第四像素提供驱动电力。
在根据本公开的实施方式的显示面板中,第一像素至第四像素可以构成单元像素。
在根据本公开的实施方式的显示面板中,第一数据线和第二数据线可以包括被形成为向每个像素提供数据电压的数据线孔,并且第一栅极线和第二栅极线可以位于数据线孔与电容器区域之间。
根据本公开的实施方式的显示面板还可以包括分别设置在第一像素至第四像素中的第一驱动器至第四驱动器,并且第一驱动器至第四驱动器可以设置在第一数据线DL1和第二数据线DL2与参考电压线Vref之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的