[发明专利]子像素结构有效
| 申请号: | 202011549466.9 | 申请日: | 2020-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN112666760B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
| 发明(设计)人: | 刘毅 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 结构 | ||
本发明提供的子像素结构至少包括相互连接的一主像素区块和一次像素区块,次像素区块包括用于连接主像素区块的连接端、以及非连接端,其中,连接端的宽度分别小于主像素区块和非连接端的宽度;主像素区块和次像素区块的连接端处形成有凹槽,同时凹槽的形状可以使诱导暗纹收敛,同时使子像素结构的暗纹更稳定。
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种子像素结构。
背景技术
现有子像素结构大多主轮廓为长方形,且像素电极的主干电极和分支电极呈米字型排列,由于金属走线挤占了部分子像素空间,子像素结构的长宽比通常设置的较大,在子像素结构的长宽大于3.5时易发生配向异常,严重损害像素穿透率,导致子像素结构的暗纹产生异常,因此,现有子像素结构存在暗纹异常的技术问题。
发明内容
本发明提供一种子像素结构,用于解决现有子像素结构存在暗纹异常的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种子像素结构,至少包括一个主像素区块和一个次像素区块,所述主像素区块与所述次像素区块相连接,所述次像素区块的一端设置为用于连接所述主像素区块的连接端,相对另一端则为非连接端,其中,所述连接端的宽度至少小于所述主像素区块的宽度,所述连接端的宽度小于所述非连接端的宽度。
在本发明提供的子像素结构中,所述连接端处的所述长边凹陷形成至少一凹槽。
在本发明提供的子像素结构中,所述子像素结构的主轮廓的形状为矩形,所述主轮廓包括沿第一方向设置的短边和沿第二方向设置的长边。
在本发明提供的子像素结构中,所述子像素结构包括沿第一方向设置的第一主干电极和沿第二方向设置的第二主干电极、以及分支电极,所述第一主干电极和所述第二主干电极将所述子像素结构分为四个畴区,所述次像素区块包括位于所述主像素区块一侧的第一次像素区块和位于所述主像素区块另一侧的第二次像素区块,任一所述畴区的所述长边凹陷形成一所述凹槽,所述凹槽关于所述第二主干电极呈对称设置。
在本发明提供的子像素结构中,所述凹槽的形状为直角三角形,所述凹槽包括底边和斜边,所述凹槽的一所述底边与所述主轮廓的短边平行。
在本发明提供的子像素结构中,所述凹槽的深度范围大于5微米且小于所述短边边长的五分之一。
在本发明提供的子像素结构中,所述凹槽的所述斜边与所述底边形成有一夹角,所述夹角的角度范围为75度至85度。
在本发明提供的子像素结构中,所述凹槽的形状为直角梯形,所述凹槽包括两直角边,其中,一所述直角边沿第一方向设置,另一所述直角边沿第二方向设置,沿第二方向设置的所述直角边的长度范围为大于5微米。
在本发明提供的子像素结构中,相邻所述凹槽之间的距离大于所述短边边长,且相邻所述凹槽之间的距离与所述短边边长的比值小于2.5,所述凹槽与所述长边的任一交点距离所述短边的距离范围大于4微米。
在本发明提供的子像素结构中,相邻所述凹槽之间的距离等于所述短边的边长,所述主像素区块为方形区块。
本发明的有益效果为:本发明提供的子像素结构至少包括相互连接的一主像素区块和一次像素区块,所述次像素区块包括用于连接所述主像素区块的连接端、以及非连接端,其中,所述连接端的宽度分别小于所述主像素区块和所述非连接端的宽度;主像素区块和次像素区块的连接端处形成有凹槽,同时凹槽的形状可以使诱导暗纹收敛,同时使子像素结构的暗纹更稳定,解决了现有子像素结构存在暗纹异常的技术问题。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的子像素结构的第一种结构示意图;
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