[发明专利]子像素结构有效
| 申请号: | 202011549466.9 | 申请日: | 2020-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN112666760B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
| 发明(设计)人: | 刘毅 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 结构 | ||
1.一种子像素结构,其特征在于,至少包括一个主像素区块和一个次像素区块,所述主像素区块与所述次像素区块相连接,所述次像素区块的一端设置为用于连接所述主像素区块的连接端,相对另一端则为非连接端,其中,所述连接端的宽度至少小于所述主像素区块的宽度,所述连接端的宽度小于所述非连接端的宽度,所述子像素结构的主轮廓的形状为矩形,所述主轮廓包括沿第一方向设置的短边和沿第二方向设置的长边,所述连接端处的所述长边凹陷形成至少一凹槽。
2.根据权利要求1所述的子像素结构,其特征在于,所述子像素结构包括沿第一方向设置的第一主干电极和沿第二方向设置的第二主干电极、以及分支电极,所述第一主干电极和所述第二主干电极将所述子像素结构分为四个畴区,所述次像素区块包括位于所述主像素区块一侧的第一次像素区块和位于所述主像素区块另一侧的第二次像素区块,任一所述畴区的所述长边凹陷形成一所述凹槽,所述凹槽关于所述第二主干电极呈对称设置。
3.根据权利要求2所述的子像素结构,其特征在于,所述凹槽的形状为直角三角形,所述凹槽包括底边和斜边,所述凹槽的一所述底边与所述主轮廓的短边平行。
4.根据权利要求3所述的子像素结构,其特征在于,所述凹槽的深度范围大于5微米且小于所述短边边长的五分之一。
5.根据权利要求3所述的子像素结构,其特征在于,所述凹槽的所述斜边与所述底边形成有一夹角,所述夹角的角度范围为75度至85度。
6.根据权利要求2所述的子像素结构,其特征在于,所述凹槽的形状为直角梯形,所述凹槽包括两直角边,其中,一所述直角边沿第一方向设置,另一所述直角边沿第二方向设置,沿第二方向设置的所述直角边的长度范围为大于5微米。
7.根据权利要求2所述的子像素结构,其特征在于,相邻所述凹槽之间的距离大于所述短边边长,且相邻所述凹槽之间的距离与所述短边边长的比值小于2.5,所述凹槽与所述长边的任一交点距离所述短边的距离范围大于4微米。
8.根据权利要求2所述的子像素结构,其特征在于,相邻所述凹槽之间的距离等于所述短边的边长,所述主像素区块为方形区块。
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