[发明专利]集成电路以及保护集成电路的上电时序的方法

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

非挥发性存储器，被配置以储存该集成电路的操作状态；以及

安全上电电路，被配置以执行：

在该集成电路的上电序列期间，当该集成电路的供应电压在第一电压范围内时，对该非挥发性存储器储存的该操作状态进行第一读取；

当该第一读取从该非挥发性存储器取得的该操作状态为允许存取该集成电路的敏感资源的状态时，验证该供应电压是否在比该第一电压范围更严密的第二电压范围内，若是，则对该非挥发性存储器储存的该操作状态进行第二读取；以及

启动一反应动作去回应该第一读取从该非挥发性存储器取得的该操作状态和该第二读取从该非挥发性存储器取得的该操作状态之间的差异。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该安全上电电路被配置藉由验证该供应电压已达到一第一电压，以验证该供应电压是在该第一电压范围内，以及藉由验证该供应电压已达到比该第一电压还高的一第二电压，以验证该供应电压是在该第二电压范围内。

3.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，该第一电压是在该集成电路的功能性电路的操作电压范围内，但低于该非挥发性存储器的操作电压范围，以及其中该第二电压是在该非挥发性存储器的该操作电压范围内。

4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，允许存取该敏感资源的该状态为一表示该集成电路为新制集成电路的预设状态。

5.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，允许存取该敏感资源的该状态为测试状态。

6.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该非挥发性存储器包括一次性可编程存储器。

7.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该安全上电电路被配置以在该第一读取和该第二读取之间等待至少一预设时间周期。

8.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该非挥发性存储器还被配置以储存该集成电路的电压检测器的校正数据，以及由该校正数据计算而得的错误检测码；

以及其中该安全上电电路被配置以在该第一读取的期间，读取该校正数据和该错误检测码，以及执行该第二读取以回应通过该错误检测码所检测到的错误。

9.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该安全上电电路被配置以藉由在用以检测该供应电压的电压检测器中修正至少一可调阀值，以比较该供应电压和该第一电压范围和该第二电压范围。

10.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该安全上电电路被配置以使用检测该供应电压的各别的第一电压检测器和第二电压检测器，以比较该供应电压和该第一电压范围和该第二电压范围。

11.一种保护集成电路的上电时序的方法，其特征在于，该方法包括：

在该集成电路的上电时序期间，当该集成电路的供应电压在第一电压范围内时，对一非挥发性存储器所储存的该集成电路的操作状态进行第一读取；

当该第一读取从该非挥发性存储器的该操作状态为允许存取该集成电路的敏感资源的状态时，验证该供应电压是否在比该第一电压范围更严密的第二电压范围内，若是，则对该非挥发性存储器储存的该操作状态进行一第二读取；以及

启动一反应动作去回应该第一读取从该非挥发性存储器取得的该操作状态的和该第二读取从该非挥发性存储器取得的该操作状态之间的差异。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括藉由验证该供应电压已达到一第一电压，以验证该供应电压是在该第一电压范围内，其中验证该供应电压已达到比该第一电压还高的一第二电压，以验证该供应电压是在该第二电压范围内。