[发明专利]背照式单光子雪崩二极管、形成方法以及激光雷达

权利要求书

1.一种背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：

衬底，包括背表面和与所述背表面相对的前表面；

多个二极管区，位于所述衬底的前表面上，所述二极管区包括：

外延层；

第一掺杂区，位于所述外延层远离所述衬底的端面上；

浅槽隔离结构，位于相邻所述二极管区之间，且位于所述外延层远离所述衬底的端面上。

2.如权利要求1所述的背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，所述背照式单光子雪崩二极管包括：第二掺杂区，位于所述第一掺杂区朝向所述衬底的一侧，且与所述第一掺杂区接触。

3.如权利要求1所述的背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，所述背照式单光子雪崩二极管包括：

深槽隔离结构，位于相邻的所述二极管区之间，从所述衬底的背表面延伸至所述浅槽隔离结构。

4.如权利要求1所述的背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，所述背照式单光子雪崩二极管包括：

第一隔离层，位于所述衬底的背表面上；

第一电极，位于所述第一隔离层背离所述衬底的表面上，且延伸到所述衬底中，所述第一电极在所述衬底前表面的投影环绕于所述二极管区的四周。

5.如权利要求4所述的背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，所述背照式单光子雪崩二极管还包括：

第二电极，在所述第一隔离层背离所述衬底的表面上，连接相邻二极管区中的所述第一电极。

6.如权利要求1至5任一项所述的背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，所述浅槽隔离结构与所述第一掺杂区相间隔。

7.如权利要求1至5任一项所述的背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，所述浅槽隔离结构的材料包括氧化硅、氮氧化硅和氮化硅中的一种或多种。

8.如权利要求3所述的背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，所述深槽隔离结构包括绝缘层和填充于所述绝缘层内的金属层。

9.如权利要求1所述的背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，所述背照式单光子雪崩二极管还包括：

电极接触区，位于所述第一掺杂区背离所述衬底的端面上；

第二隔离层，位于所述第一掺杂区背离所述衬底的端面上，覆盖所述二极管区和所述电极接触区；

接触孔插塞，贯穿所述第二隔离层与所述电极接触区电连接。

10.如权利要求9所述的背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，所述背照式单光子雪崩二极管还包括：

反射层，位于所述第二隔离层背离所述第一掺杂区的表面。

11.如权利要求1所述的背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，所述背照式单光子雪崩二极管还包括：

保护环，位于所述外延层背离所述衬底的端面上，环绕所述第一掺杂区，且与所述浅槽隔离结构相间隔。

12.如权利要求11所述的背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，所述浅槽隔离结构与所述保护环之间的距离在1μm至3μm之间。

13.如权利要求2所述的背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，

所述外延层中掺杂有P型掺杂离子；

所述第一掺杂区中掺杂有N型掺杂离子；

所述第二掺杂区中掺杂有P型掺杂离子。

14.一种背照式单光子雪崩二极管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括背表面和与所述背表面相对的前表面；

在所述衬底的前表面上形成外延层，所述外延层具有多个用于形成二极管区的功能区；

在所述外延层远离所述衬底的端面上形成浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构位于相邻所述功能区之间；

在所述外延层远离所述衬底的端面上形成第一掺杂区。