[发明专利]深孔和深沟槽的清洗装置及清洗方法

说明书

本发明提供一种深孔和深沟槽的清洗装置及清洗方法，包括具有前开口和侧开口的盆状镂空支架，枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述喷嘴装置以一角度设置；旋转轴通过所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述旋转轴的轴心旋转；喷嘴装置，包括垂直于所述盆状镂空支架上方设置的上喷嘴，利用重力和离心力将硅片上的水甩出，使得位于深沟槽底部或深孔底部的药液或水快速甩干，具有显著的意义。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种深孔和深沟槽的清洗装置及清洗方法。

背景技术

伴随集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的体积正变得越来越小，在半导体器件的制作过程中，深沟槽得到广泛应用。在某些器件中，深沟槽的深度已达30微米以上。

一般的清洗技术是将硅片正面朝上，然后浸入湿法清洗槽内进行清洗。完成清洗后，通过甩干将清洗药液从硅片表面去除。对于具有较大深宽比的深沟槽或深孔，清洗药液或水堆积在深沟槽或深孔的底部，比较难通过甩干移出硅片，堆积的清洗药液或水造成对深沟槽或深孔结构内薄膜的严重损伤，影响器件的可靠性。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种深孔和深沟槽的清洗方法及深孔和深沟槽的清洗装置。

为实现上述目的，本发明第一方面提供一种深孔和深沟槽的清洗装置，其特征在于，包括：硅片承载组件，所述硅片承载组件为具有前开口和侧开口的盆状镂空支架，硅片从所述侧开口装载且正面朝向所述前开口；所述盆状镂空支架包括底板和若干夹持组件，所述底板的正面与所述前开口相对，所述夹持组件自所述底板的正面沿所述前开口方向自下而上分层设置，且固定在所述侧开口两侧的盆状镂空支架上，所述夹持组件支撑并固定硅片；第一传动件，包括枢接件和旋转轴；所述枢接件的第一端旋转连接底板背面的底板中心，第二端枢接所述旋转轴的第一端；喷嘴装置，包括垂直于所述盆状镂空支架上方设置的上喷嘴，所述上喷嘴向所述盆状镂空支架垂直向下喷洒清洗液；其中，所述盆状镂空支架相对于所述底板中心旋转；所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述喷嘴装置以一角度设置；所述旋转轴通过所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述旋转轴的轴心旋转。

优选地，所述角度为0°，所述上喷嘴喷洒清洗液，所述盆状镂空支架相对于所述底板中心旋转；所述清洗液包括药液或水中的一种，所述上喷嘴包括药液上喷嘴和水上喷嘴，所述药液上喷嘴喷洒药液，所述水上喷嘴喷洒水。

优选地，所述喷嘴装置还包括相对设置在所述盆状镂空支架两侧的侧喷嘴，所述侧喷嘴分别从所述侧开口和所述侧开口相对的侧面，沿水平方向向所述盆状镂空支架喷洒水。

优选地，所述角度为180°，所述上喷嘴停止喷洒清洗液，所述侧喷嘴喷洒水，所述盆状镂空支架相对于所述底板中心旋转。

优选地，还包括：第二传动件，旋转连接所述旋转轴的第二端；所述第二传动件通过所述第一传动件带动所述盆状镂空支架相对于所述第二传动件的传动中心旋转。

优选地，所述角度为大于90°且小于180°，所述侧喷嘴停止喷洒水，所述旋转轴通过所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述旋转轴的轴心旋转，且所述第二传动件通过所述第一传动件带动所述盆状镂空支架相对于所述第二传动件的传动中心旋转。

优选地，所述夹持组件包括沿所述侧开口左右相对设置的第一夹持件和第二夹持件。

优选地，所述第一夹持件与所述第二夹持件设置有内陷的凹槽，所述凹槽具有与所述硅片外缘相配合的弧形，所述硅片的外缘卡设在所述凹槽内。

本发明第二方面提供一种深孔和深沟槽的清洗装置的清洗方法，其特征在于，包括：

步骤S01：通过所述侧开口装载硅片，所述夹持组件支撑并固定硅片，且所述硅片的正面朝向所述前开口；