[发明专利]发光显示装置在审
申请号: | 202011527688.0 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN113130571A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 李殷亨;黄洙元;郑印燮 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 | ||
公开了一种发光显示装置,该发光显示装置包括:基板,所述基板包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;各个第一子像素中的第一阳极,所述第一阳极具有至少一个开口;第二阳极和第三阳极,所述第二阳极在每个第二子像素中,所述第三阳极在每个第三子像素中;反射绝缘膜,所述反射绝缘膜位于第一阳极的开口处以在所述第一阳极下方接触所述第一阳极;有机叠层,所述有机叠层在所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极中的每一个上;和阴极,所述阴极在所述有机叠层上。在本申请的发光显示装置中,在指定的发光部分的阳极中形成开口,以补偿由于电流扩散效应导致的与其它颜色的发光层的效率差。
技术领域
本发明涉及一种发光显示装置,更具体地,涉及如下发光显示装置,该发光显示装置通过改变阳极结构,根据发射光的颜色来调节低灰度值和高灰度值之间的效率差,从而防止低灰度值下颜色的不均匀性,并改善差的图像质量。
背景技术
最近,随着社会进入信息时代,用于可视地显示电信息信号的显示器领域已经迅速发展,并且为了满足这种发展,已经开发了具有例如纤薄、重量轻和低功耗等优异性能的各种平板显示设备,并且已经迅速地取代了传统的阴极射线管(CRT)。
例如,这些显示装置有液晶显示(LCD)装置、等离子显示板(PDP)装置、场致发射显示(FED)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置、量子点显示装置等。
其中,不需要单独的光源并且实现紧凑和清晰的彩色显示的发光显示装置被认为是有竞争力的应用。
这种发光显示装置包括多个子像素,并且在每个子像素中设置发光元件,从而在没有单独光源的情况下发光。
发光元件受到其发光材料的效率的极大影响,并且难以根据发射光的颜色实现均匀的效率。
发明内容
因此,本发明涉及一种发光显示设备,其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种发光显示装置,其通过改变阳极结构,根据发射光的颜色来调节低灰度值和高灰度值之间的效率差,从而防止低灰度值下颜色的不均匀性,并改善差的图像质量。
本发明的另一个目的是提供一种发光显示装置,其中在指定的发光部分的阳极中形成开口,以便补偿由于电流扩散效应引起的与其它颜色的发光层的效率差。
本发明的附加优点、目的和特征将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地对于本领域的普通技术人员来说将在研究了以下内容之后变得显而易见,或者可以从本发明的实践中获知。本发明的目的和其它优点可以通过在书面说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其它优点,并且根据本发明的目的,如在此实施和广泛描述的,发光元件包括具有至少一个开口的阳极,设置在阳极的开口处的反射绝缘膜,在开口处设置在反射绝缘膜和阳极上的有机叠层,以及设置在有机叠层上的阴极。
在本发明的另一方面中,一种发光显示装置包括:基板,该基板包括第一子像素,第二子像素和第三子像素;设置在每个第一子像素中的具有至少一个开口的第一阳极;设置在每个第二子像素中的第二阳极和设置在每个第三子像素中的第三阳极;反射绝缘膜,该反射绝缘膜设置在所述第一阳极的开口处并被配置为在所述第一阳极下方接触所述第一阳极;有机叠层,所述有机叠层设置在所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极中的每一个上;以及阴极,所述阴极设置在所述有机叠层上。
应当理解,本发明的前述一般描述和以下详细描述是示例性和解释性的,并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入本申请中并且构成本申请的一部分,附图例示了本发明的实施方式,并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是示出根据本发明第一实施方式的发光显示装置的平面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的